学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

用于控制晶片斜边/边缘上的沉积的喷头设计

被引：0
申请号：
CN202180031633.7
申请日：
2021-04-09
公开(公告)号：
CN115461493A
公开(公告)日：
2022-12-09
发明(设计)人：
迈克尔·J·雅尼基 布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯
申请人：
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
C23C16455
IPC分类号：
C23C1644 C23C16509
代理机构：
上海胜康律师事务所 31263
代理人：
李献忠;张静
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-12-09 公开 公开
2022-12-27 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20210409
共 50 条
[1]
用于控制晶片晶边/边缘上的沉积的承载环设计 [P]. 
迈克尔·J·雅尼基 ;
布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 .
中国专利 :CN115087758A ,2022-09-20
[2]
消除晶片背面边缘和缺口处的沉积物的晶片边缘接触硬件和方法 [P]. 
帕特里克·布莱琳 ;
拉梅什·钱德拉塞卡拉 ;
克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;
金成杰 ;
伊时塔克·卡里姆 ;
迈克·罗伯茨 ;
理查德·菲利普斯 ;
普鲁肖塔姆·库马尔 ;
阿德里安·拉沃伊 .
中国专利 :CN110892501A ,2020-03-17
[3]
消除晶片背面边缘和缺口处的沉积物的晶片边缘接触硬件和方法 [P]. 
帕特里克·布莱琳 ;
拉梅什·钱德拉塞卡拉 ;
克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;
金成杰 ;
伊时塔克·卡里姆 ;
迈克·罗伯茨 ;
理查德·菲利普斯 ;
普鲁肖塔姆·库马尔 ;
阿德里安·拉沃伊 .
美国专利 :CN110892501B ,2024-01-23
[4]
减少在晶片边缘的背面沉积 [P]. 
克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;
安德鲁·杜瓦尔 ;
瑞安·布拉基埃 ;
尚卡·斯瓦米纳森 .
中国专利 :CN105719989A ,2016-06-29
[5]
减少在晶片边缘的背面沉积 [P]. 
克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;
安德鲁·杜瓦尔 ;
瑞安·布拉基埃 ;
尚卡·斯瓦米纳森 .
中国专利 :CN110060941A ,2019-07-26
[6]
包括上喷头和下喷头在内的沉积装置 [P]. 
朴柄善 ;
徐枝延 ;
任智芸 ;
林炫锡 ;
田炳好 ;
姜有善 ;
权赫镐 ;
朴星津 ;
严太镕 ;
河东协 .
中国专利 :CN109797376A ,2019-05-24
[7]
用于钝化硅晶片的沉积方法 [P]. 
K·阿库拉蒂 ;
M·库诺 ;
R·杰维斯 ;
A·齐默曼 .
中国专利 :CN102084029B ,2011-06-01
[8]
用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P]. 
法亚兹·谢赫 ;
尼克·林佰格 ;
柯蒂斯·贝利 .
美国专利 :CN119615129A ,2025-03-14
[9]
用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P]. 
法亚兹·谢赫 ;
尼克·林佰格 ;
柯蒂斯·贝利 .
美国专利 :CN115613010B ,2024-11-12
[10]
用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P]. 
法亚兹·谢赫 ;
尼克·林佰格 ;
柯蒂斯·贝利 .
中国专利 :CN111094620B ,2020-05-01
12345