包括上喷头和下喷头在内的沉积装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811268189.7
申请日
2018-10-29
公开(公告)号
CN109797376A
公开(公告)日
2019-05-24
发明(设计)人
朴柄善 徐枝延 任智芸 林炫锡 田炳好 姜有善 权赫镐 朴星津 严太镕 河东协
申请人
申请人地址
韩国京畿道
IPC主分类号
C23C16455
IPC分类号
H01L2167
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人
周泉
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
喷头组件和包括该喷头组件的薄膜沉积装置 [P]. 
韩昌熙 ;
柳东浩 ;
李起薰 .
中国专利 :CN102648512A ,2012-08-22
[2]
沉积装置的喷头 [P]. 
金官希 ;
车东壹 ;
黄领务 ;
严基领 ;
赵秋天 ;
李重宪 ;
李恩受 .
韩国专利 :CN120099501A ,2025-06-06
[3]
化学蒸发沉积装置喷头 [P]. 
严坪镕 .
中国专利 :CN101031998A ,2007-09-05
[4]
喷头组件和包括该喷头组件的等离子体处理设备 [P]. 
金星渊 ;
金镐翼 .
韩国专利 :CN120089580A ,2025-06-03
[5]
气体喷头及薄膜沉积装置 [P]. 
杨士逸 .
中国专利 :CN221440859U ,2024-07-30
[6]
喷头及气相沉积装置 [P]. 
魏晓平 ;
张琦 .
中国专利 :CN222975285U ,2025-06-13
[7]
用于控制晶片斜边/边缘上的沉积的喷头设计 [P]. 
迈克尔·J·雅尼基 ;
布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 .
中国专利 :CN115461493A ,2022-12-09
[8]
化学气相沉积装置及其喷头 [P]. 
卜维亮 ;
平延磊 ;
张炳一 .
中国专利 :CN102051595A ,2011-05-11
[9]
化学气相沉积装置及其喷头 [P]. 
卜维亮 ;
李勇 ;
曾明 .
中国专利 :CN102140629A ,2011-08-03
[10]
沉积源和包括沉积源的沉积装置 [P]. 
薛在完 ;
尹引泽 ;
崔钟贤 .
韩国专利 :CN117947387A ,2024-04-30