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减少在晶片边缘的背面沉积

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811210262.5
申请日：
2015-12-21
公开(公告)号：
CN110060941A
公开(公告)日：
2019-07-26
发明(设计)人：
克洛伊·巴尔达赛罗尼 安德鲁·杜瓦尔 瑞安·布拉基埃 尚卡·斯瓦米纳森
申请人：
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
H01L2167
IPC分类号：
H01L21687 C23C16455 C23C16458
代理机构：
上海胜康律师事务所 31263
代理人：
樊英如;李献忠
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-07-26 公开 公开
2019-08-20 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/67 申请日:20151221
共 50 条
[1]
减少在晶片边缘的背面沉积 [P]. 
克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;
安德鲁·杜瓦尔 ;
瑞安·布拉基埃 ;
尚卡·斯瓦米纳森 .
中国专利 :CN105719989A ,2016-06-29
[2]
消除晶片背面边缘和缺口处的沉积物的晶片边缘接触硬件和方法 [P]. 
帕特里克·布莱琳 ;
拉梅什·钱德拉塞卡拉 ;
克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;
金成杰 ;
伊时塔克·卡里姆 ;
迈克·罗伯茨 ;
理查德·菲利普斯 ;
普鲁肖塔姆·库马尔 ;
阿德里安·拉沃伊 .
中国专利 :CN110892501A ,2020-03-17
[3]
消除晶片背面边缘和缺口处的沉积物的晶片边缘接触硬件和方法 [P]. 
帕特里克·布莱琳 ;
拉梅什·钱德拉塞卡拉 ;
克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;
金成杰 ;
伊时塔克·卡里姆 ;
迈克·罗伯茨 ;
理查德·菲利普斯 ;
普鲁肖塔姆·库马尔 ;
阿德里安·拉沃伊 .
美国专利 :CN110892501B ,2024-01-23
[4]
用于减少背面沉积和减少基片边缘处的厚度变化的系统和方法 [P]. 
赛沙·瓦拉达拉简 ;
尚卡·斯瓦米纳坦 ;
桑格伦特·桑普伦格 ;
弗兰克·帕斯夸里 ;
泰德·明歇尔 ;
阿德里安·拉瓦伊 ;
穆罕默德·萨布里 ;
科迪·巴尼特 .
中国专利 :CN105420685A ,2016-03-23
[5]
用于减少晶片背侧沉积的可变温度硬件及方法 [P]. 
康胡 ;
伊斯达克·卡里姆 ;
普鲁沙塔姆·库马尔 ;
钱俊 ;
拉梅什·钱德拉赛卡兰 ;
阿德里安·拉瓦伊 .
中国专利 :CN106947958B ,2017-07-14
[6]
用于减少晶片背侧沉积的可变温度硬件及方法 [P]. 
康胡 ;
伊斯达克·卡里姆 ;
普鲁沙塔姆·库马尔 ;
钱俊 ;
拉梅什·钱德拉赛卡兰 ;
阿德里安·拉瓦伊 .
中国专利 :CN113235071A ,2021-08-10
[7]
用于控制晶片斜边/边缘上的沉积的喷头设计 [P]. 
迈克尔·J·雅尼基 ;
布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 .
中国专利 :CN115461493A ,2022-12-09
[8]
用于控制晶片晶边/边缘上的沉积的承载环设计 [P]. 
迈克尔·J·雅尼基 ;
布莱恩·约瑟夫·威廉姆斯 .
中国专利 :CN115087758A ,2022-09-20
[9]
用于钝化硅晶片的沉积方法 [P]. 
K·阿库拉蒂 ;
M·库诺 ;
R·杰维斯 ;
A·齐默曼 .
中国专利 :CN102084029B ,2011-06-01
[10]
晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角厚度均匀性 [P]. 
克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;
艾德蒙·B·明歇尔 ;
弗兰克·L·帕斯夸里 ;
尚卡·斯瓦米纳森 ;
拉梅什·钱德拉赛卡兰 .
中国专利 :CN107641797A ,2018-01-30
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