用于减少晶片背侧沉积的可变温度硬件及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110296810.6

申请日：

2016-12-19

公开(公告)号：

CN113235071A

公开(公告)日：

2021-08-10

发明(设计)人：

康胡伊斯达克·卡里姆普鲁沙塔姆·库马尔钱俊拉梅什·钱德拉赛卡兰阿德里安·拉瓦伊

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C16458

IPC分类号：

C23C1650 C23C16509 H01L21687

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

李献忠;邱晓敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-10	公开	公开
2021-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/458 申请日:20161219

共 50 条

[1]

用于减少晶片背侧沉积的可变温度硬件及方法 [P].

康胡 ;

伊斯达克·卡里姆 ;

普鲁沙塔姆·库马尔 ;

钱俊 ;

拉梅什·钱德拉赛卡兰 ;

阿德里安·拉瓦伊 .

中国专利 :CN106947958B ,2017-07-14

[2]

用于晶片弓曲管理的背侧沉积 [P].

阿伦·K·科特拉帕 ;

钱德拉谢卡拉·巴吉纳热 ;

拉姆查兰·桑达 ;

赛义德·法泽利 ;

阿纳塔·苏比玛尼 ;

朱思雨 ;

A·辛哈尔 ;

菲利普·艾伦·克劳斯 .

美国专利 :CN119948201A ,2025-05-06

[3]

减少在晶片边缘的背面沉积 [P].

克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;

安德鲁·杜瓦尔 ;

瑞安·布拉基埃 ;

尚卡·斯瓦米纳森 .

中国专利 :CN105719989A ,2016-06-29

[4]

减少在晶片边缘的背面沉积 [P].

克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;

安德鲁·杜瓦尔 ;

瑞安·布拉基埃 ;

尚卡·斯瓦米纳森 .

中国专利 :CN110060941A ,2019-07-26

[5]

减少斜壁沉积的硬件设备 [P].

索沃·森 ;

马克·A·弗德 ;

维斯瓦思瓦伦·西瓦诺马克斯南 ;

刘军庭 .

中国专利 :CN1930322A ,2007-03-14

[6]

半导体晶片处理中最小化晶片背侧损伤的方法 [P].

A·A·哈贾 ;

胡良发 ;

S·S·拉斯 ;

G·巴拉苏布拉马尼恩 .

中国专利 :CN112166497A ,2021-01-01

[7]

用于具有仅边缘晶片接触的背侧晶片处理的装置 [P].

尼克·拉伊·小林百格 ;

理查德·M·布兰克 ;

丹尼尔·博特赖特 ;

法亚兹·A·谢赫 ;

埃里克·托马斯·迪克松 ;

迈克尔·约翰·贾尼基 ;

阿德里亚娜·文蒂拉 ;

殷鑫 ;

康纳·查尔斯·阿尔库里 .

美国专利 :CN118922930A ,2024-11-08

[8]

消除晶片背面边缘和缺口处的沉积物的晶片边缘接触硬件和方法 [P].

帕特里克·布莱琳 ;

拉梅什·钱德拉塞卡拉 ;

克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;

金成杰 ;

伊时塔克·卡里姆 ;

迈克·罗伯茨 ;

理查德·菲利普斯 ;

普鲁肖塔姆·库马尔 ;

阿德里安·拉沃伊 .

美国专利 :CN110892501B ,2024-01-23

[9]

消除晶片背面边缘和缺口处的沉积物的晶片边缘接触硬件和方法 [P].

帕特里克·布莱琳 ;

拉梅什·钱德拉塞卡拉 ;

克洛伊·巴尔达赛罗尼 ;

金成杰 ;

伊时塔克·卡里姆 ;

迈克·罗伯茨 ;

理查德·菲利普斯 ;

普鲁肖塔姆·库马尔 ;

阿德里安·拉沃伊 .

中国专利 :CN110892501A ,2020-03-17

[10]

研磨头及研磨半导体晶片的背侧的方法 [P].

杨青海 ;

高耀寰 ;

刘黄升 .

中国专利 :CN108655946B ,2018-10-16

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