半导体晶片处理中最小化晶片背侧损伤的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980035398.3

申请日：

2019-05-31

公开(公告)号：

CN112166497A

公开(公告)日：

2021-01-01

发明(设计)人：

A·A·哈贾胡良发 S·S·拉斯 G·巴拉苏布拉马尼恩

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21683

IPC分类号：

H01L2167 H01L21687

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

汪骏飞;侯颖媖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/683 申请日:20190531
2021-01-01	公开	公开
2021-12-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体晶片和用于处理半导体晶片的方法 [P].

M·金勒 ;

G·施密特 ;

M·斯波恩 ;

M·卡恩 ;

J·斯泰恩布伦纳 ;

R·K·乔施 .

中国专利 :CN105185818B ,2015-12-23

[2]

处理半导体晶片的方法、半导体晶片以及半导体器件 [P].

菲利普·雷诺 ;

罗兰德·塞拉诺 .

中国专利 :CN103109350A ,2013-05-15

[3]

处理半导体晶片的方法 [P].

克里斯托福·戴维·多布森 .

中国专利 :CN1042577C ,1994-07-20

[4]

处理单晶半导体晶片的方法和局部处理的半导体晶片 [P].

J·赫普夫纳 .

中国专利 :CN1346511A ,2002-04-24

[5]

半导体晶片的处理方法 [P].

马宏 ;

周梅生 .

中国专利 :CN1889230A ,2007-01-03

[6]

半导体晶片处理 [P].

入口祥一 ;

佐田博之 ;

谷野元气 .

中国专利 :CN104205303A ,2014-12-10

[7]

处理半导体晶片的方法 [P].

罗兰·范丹姆 ;

志坚·裴 ;

云－彪·辛 .

中国专利 :CN1272222A ,2000-11-01

[8]

处理半导体晶片的方法 [P].

G·施瓦布 ;

D·费霍 ;

T·布施哈尔特 ;

H-J·卢特 ;

F·索林格 .

中国专利 :CN101752215A ,2010-06-23

[9]

处理半导体晶片的方法 [P].

C·D·多布森 ;

A·吉尔马茨 .

中国专利 :CN1128582A ,1996-08-07

[10]

处理半导体晶片的方法 [P].

史蒂文·维哈费尔贝克 .

中国专利 :CN1114566C ,2000-07-12

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