在脉冲RF偏置处理中测量和控制晶片电势的方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780043046.X

申请日：

2007-09-14

公开(公告)号：

CN101542857A

公开(公告)日：

2009-09-23

发明(设计)人：

安德拉斯·库蒂斯蒂文·黄詹姆斯·C·维特尔格雷格·艾伦施泰因图安·恩戈王荣彬

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01T2300

IPC分类号：

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

余刚;吴孟秋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-23	公开	公开
2013-01-23	授权	授权

共 50 条

[1]

在晶片流水线环境中通过等离子处理室处理半导体晶片的方法和装置 [P].

罗伯特·P·曼达尔 .

中国专利 :CN1768415A ,2006-05-03

[2]

晶片处理装置和晶片平台以及晶片处理方法 [P].

菅野诚一郎 ;

川原博宣 ;

末広满 ;

金井三郎 ;

增田俊夫 .

中国专利 :CN1240107C ,2003-09-03

[3]

用于在半导体晶片抛光时测量晶片特性的装置和方法 [P].

R·D·贝纳西 .

中国专利 :CN101495325A ,2009-07-29

[4]

处理流体中半导体晶片的方法和装置 [P].

罗伯特·罗杰尔·马修 .

中国专利 :CN1071153C ,1996-10-23

[5]

半导体晶片测量装置和方法 [P].

肯尼思·斯蒂普莱斯 .

中国专利 :CN101142475A ,2008-03-12

[6]

晶片处理装置及在单一装置中处理半导体晶片的方法 [P].

余振华 ;

邱文智 ;

吴文进 ;

杨固峰 ;

胡荣治 .

中国专利 :CN101667526A ,2010-03-10

[7]

处理半导体晶片的装置和方法 [P].

阿莫斯·多尔 ;

马亚·拉德辛斯基 .

中国专利 :CN1205663C ,2003-09-03

[8]

处理半导体晶片的方法和装置 [P].

克里斯多弗·戴维·多布森 .

中国专利 :CN1202000A ,1998-12-16

[9]

通过测量气体温度测量和控制半导体晶片的温度 [P].

彼得·韦甘德 ;

生田倍粟 .

中国专利 :CN1212363A ,1999-03-31

[10]

晶片热处理的方法和设备 [P].

詹姆斯·J·梅泽 .

中国专利 :CN1430789A ,2003-07-16

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