晶片热处理的方法和设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01809857.6

申请日：

2001-04-12

公开(公告)号：

CN1430789A

公开(公告)日：

2003-07-16

发明(设计)人：

詹姆斯·J·梅泽

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

蒋世迅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-10-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-06-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101467721957 IPC(主分类):H01L 21/00 专利号:ZL018098576 申请日:20010412 授权公告日:20050427 终止日期:20120412
2005-04-27	授权	授权
2003-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体晶片热处理设备 [P].

姜声勋 ;

高永洛 ;

李贞圭 .

中国专利 :CN1177830A ,1998-04-01

[2]

半导体晶片热处理设备及方法 [P].

赵燕平 ;

董金卫 ;

钟华 ;

赵星梅 .

中国专利 :CN102881615B ,2013-01-16

[3]

半导体晶片的热处理方法 [P].

陆晓慈 ;

林本坚 ;

林进祥 ;

陈桂顺 ;

高蔡胜 .

中国专利 :CN101106080A ,2008-01-16

[4]

半导体晶片的热处理方法 [P].

宫宇地浩二 ;

大和田树志 .

中国专利 :CN1294632C ,2003-06-18

[5]

半导体晶片的快速热处理方法 [P].

蔡宗洵 .

中国专利 :CN100472734C ,2006-12-27

[6]

晶片处理装置和晶片平台以及晶片处理方法 [P].

菅野诚一郎 ;

川原博宣 ;

末広满 ;

金井三郎 ;

增田俊夫 .

中国专利 :CN1240107C ,2003-09-03

[7]

半导体晶片的热处理装置 [P].

南基钦 ;

李炳官 ;

金东浩 ;

安雄宽 .

中国专利 :CN1089487C ,1998-03-11

[8]

热处理炉的预处理条件的确定方法、热处理炉的预处理方法、热处理装置以及已进行热处理的半导体晶片的制造方法和制造装置 [P].

桑野嘉宏 .

日本专利 :CN113196456B ,2024-05-03

[9]

热处理炉的预处理条件的确定方法、热处理炉的预处理方法、热处理装置以及已进行热处理的半导体晶片的制造方法和制造装置 [P].

桑野嘉宏 .

中国专利 :CN113196456A ,2021-07-30

[10]

用于处理半导体晶片的设备和方法 [P].

斯图尔特·罗斯·文哈姆 ;

菲利普·乔治·哈默 ;

布雷特·杰森·哈拉姆 ;

阿德莱恩·苏吉安托 ;

凯瑟琳·艾米丽·尚 ;

宋立辉 ;

吕珮玄 ;

艾利森·马里·文哈姆 ;

林·迈 ;

张子文 ;

徐光琦 ;

马修·布鲁斯·爱德华兹 .

中国专利 :CN106024611A ,2016-10-12

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