半导体组件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610704733.2

申请日：

2016-08-23

公开(公告)号：

CN107492542A

公开(公告)日：

2017-12-19

发明(设计)人：

王青杉李顺益

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H01L2364

IPC分类号：

H01L2182

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

马雯雯;臧建明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-26	授权	授权
2017-12-19	公开	公开
2019-07-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/64 申请日:20160823

共 50 条

[1]

用于制造半导体组件的方法 [P].

K·K·希金斯 ;

J·W·维斯曼 .

中国专利 :CN101300668A ,2008-11-05

[2]

半导体组件及其制造方法 [P].

蔡明桦 ;

张维轩 ;

郭晋佳 .

中国专利 :CN119486235A ,2025-02-18

[3]

半导体组件制造方法、半导体组件及半导体组件制造设备 [P].

拉斐尔·费雷·I·托马斯 .

中国专利 :CN102197497A ,2011-09-21

[4]

半导体组件的制造方法和半导体组件 [P].

二阶堂广基 ;

杉野光生 .

中国专利 :CN102027584A ,2011-04-20

[5]

半导体组件的制造方法及半导体组件 [P].

福富直树 ;

坪松良明 ;

井上文男 ;

山崎聪夫 ;

大畑洋人 ;

萩原伸介 ;

田口矩之 ;

野村宏 .

中国专利 :CN1117395C ,1997-02-26

[6]

半导体组件及制造半导体组件的方法 [P].

山寄优 ;

钉宫哲也 ;

广畑贤治 .

中国专利 :CN104851861A ,2015-08-19

[7]

半导体组件的制造方法及半导体组件 [P].

福富直树 ;

坪松良明 ;

井上文男 ;

山崎聪夫 ;

大畑洋人 ;

萩原伸介 ;

田口矩之 ;

野村宏 .

中国专利 :CN1516251A ,2004-07-28

[8]

半导体组件及半导体组件的制造方法 [P].

井出英一 ;

德山健 ;

露野圆丈 ;

中津欣也 ;

诹访时人 ;

金子裕二朗 .

中国专利 :CN103348468B ,2013-10-09

[9]

半导体组件及制造半导体组件的方法 [P].

吴伟诚 ;

侯上勇 ;

郑心圃 ;

刘醇鸿 ;

邱志威 ;

史朝文 .

中国专利 :CN104269390B ,2015-01-07

[10]

半导体组件及制造半导体组件的方法 [P].

吴伟诚 ;

侯上勇 ;

郑心圃 ;

刘醇鸿 ;

邱志威 ;

史朝文 .

中国专利 :CN102403290B ,2012-04-04

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