浅沟槽隔离的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201310753728.7
申请日
2013-12-31
公开(公告)号
CN103730404A
公开(公告)日
2014-04-16
发明(设计)人
曾绍海
申请人
申请人地址
201210 上海市浦东新区上海浦东张江高斯路497号
IPC主分类号
H01L21762
IPC分类号
代理机构
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275
代理人
吴世华;林彦之
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[41]
浅沟槽隔离结构的制造方法 [P]. 
郭国超 .
中国专利 :CN101930941A ,2010-12-29
[42]
浅沟槽隔离结构的制造方法 [P]. 
鲍宇 .
中国专利 :CN104078411A ,2014-10-01
[43]
浅沟槽隔离结构的制造方法 [P]. 
刘明源 ;
郑春生 ;
蔡明 .
中国专利 :CN101459116B ,2009-06-17
[44]
浅沟槽隔离结构的制造方法 [P]. 
肖德元 .
中国专利 :CN101752291B ,2010-06-23
[45]
浅沟槽隔离结构的制造方法 [P]. 
黄鹏 ;
李俊 .
中国专利 :CN106684030A ,2017-05-17
[46]
浅沟槽隔离结构的制造方法 [P]. 
韩秋华 ;
王新鹏 ;
胡华勇 .
中国专利 :CN101783312A ,2010-07-21
[47]
浅沟槽隔离结构的制造方法 [P]. 
曾祥铭 ;
赖佳平 ;
陈志铭 ;
毕嘉慧 .
中国专利 :CN100339971C ,2006-05-10
[48]
浅沟槽隔离结构的制造方法 [P]. 
洪永泰 ;
庄东汉 .
中国专利 :CN1280888C ,2005-01-19
[49]
浅沟槽隔离结构的制造方法 [P]. 
何学缅 ;
王荣 ;
王丹 .
中国专利 :CN101459115A ,2009-06-17
[50]
浅沟槽隔离的制造方法和CMOS的制造方法 [P]. 
刘金华 .
中国专利 :CN103456673B ,2013-12-18