用于单晶体生产的预装料坩埚

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120348732.1

申请日：

2011-09-16

公开(公告)号：

CN202246996U

公开(公告)日：

2012-05-30

发明(设计)人：

孟涛闫永兵

申请人：

申请人地址：

212200 江苏省镇江市经济开发区港隆路998号

IPC主分类号：

C30B1510

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

北京金信立方知识产权代理有限公司 11225

代理人：

黄威;郭迎侠

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-08	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C30B 15/10 申请日:20110916 授权公告日:20120530
2012-05-30	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶体生产的装料方法及预装料坩埚 [P].

孟涛 ;

闫永兵 .

中国专利 :CN102995110A ,2013-03-27

[2]

下降法生长单晶体用的真空石英坩埚 [P].

张红武 ;

黄朝恩 .

中国专利 :CN201428006Y ,2010-03-24

[3]

坩埚和制造单晶体的方法 [P].

堀勉 ;

上田俊策 ;

松岛彰 .

中国专利 :CN105239157A ,2016-01-13

[4]

单晶体的上炉体 [P].

潘燕萍 .

中国专利 :CN203715794U ,2014-07-16

[5]

用于生产硅单晶体的工艺 [P].

W·黑克尔 ;

G·拉特尼克斯 ;

A·扎特勒 ;

M·舒罗沃福斯 ;

J·韦尔布利斯 .

德国专利 :CN117916410A ,2024-04-19

[6]

坩埚熔体中制备单晶体的装置 [P].

刘俊成 .

中国专利 :CN201305645Y ,2009-09-09

[7]

单晶体锭块、用于生产单晶体锭块的设备和方法 [P].

崔日洙 ;

安镇佑 ;

王学义 ;

金容进 .

中国专利 :CN104937148A ,2015-09-23

[8]

单晶体的上炉体 [P].

潘燕萍 .

中国专利 :CN104711682A ,2015-06-17

[9]

用于分离单晶体的方法 [P].

R·哈默 ;

M·尤里奇 .

中国专利 :CN101861237A ,2010-10-13

[10]

提炼高纯金属的单晶体生产装置 [P].

侯仁义 ;

守炳生 .

中国专利 :CN2830424Y ,2006-10-25

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