金属修饰的半导体基仿生复眼碗结构的SERS基底及构筑方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911038162.3

申请日：

2019-10-29

公开(公告)号：

CN110726711B

公开(公告)日：

2020-01-24

发明(设计)人：

石刚李赢陈杰靳璇王利魁王大伟杨井国桑欣欣倪才华

申请人：

申请人地址：

214122 江苏省无锡市蠡湖大道1800号

IPC主分类号：

G01N2165

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257

代理人：

苏张林

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-24	授权	授权
2020-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/65 申请日:20191029
2020-01-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种金属基复眼碗结构的仿生SERS基底及构筑方法与应用 [P].

石刚 ;

李赢 ;

李建华 ;

靳璇 ;

王大伟 ;

王利魁 ;

杨井国 ;

桑欣欣 ;

倪才华 .

中国专利 :CN110735131B ,2020-01-31

[2]

一种增进半导体SERS的类类囊体基底载体金属制备方法 [P].

王辉 ;

徐浩东 ;

季雨洁 ;

朱军 ;

宋允文 .

中国专利 :CN117330553A ,2024-01-02

[3]

半导体基底上的金属垫的结构 [P].

李资良 ;

郑双铭 ;

陈世昌 ;

余振华 .

中国专利 :CN1438702A ,2003-08-27

[4]

AgNPs修饰的双MOFs衍生的半导体异质结SERS基底及其制备和应用 [P].

张茂峰 ;

何梦 ;

叶诚 ;

朱正东 ;

王伟 ;

李建华 .

中国专利 :CN114894771B ,2024-09-27

[5]

AgNPs修饰的双MOFs衍生的半导体异质结SERS基底及其制备和应用 [P].

张茂峰 ;

何梦 ;

叶诚 ;

朱正东 ;

王伟 ;

李建华 .

中国专利 :CN114894771A ,2022-08-12

[6]

制造半导体基底的方法和半导体基底 [P].

木岛公一朗 ;

P·库纳斯 .

中国专利 :CN1742367A ,2006-03-01

[7]

无需表面修饰的PDMS基单层SERS基底及其制备方法 [P].

朱利 ;

陆辉 ;

薛洁 ;

崔一平 .

中国专利 :CN106645087A ,2017-05-10

[8]

一种铝基花状复合纳米结构的SERS基底的制备方法及SERS基底 [P].

成鸣飞 ;

方靖淮 ;

沈佳丽 ;

徐璐 .

中国专利 :CN111781188A ,2020-10-16

[9]

半导体基底的制备方法及半导体器件 [P].

杨航 ;

全钟声 .

中国专利 :CN113471138A ,2021-10-01

[10]

形成半导体结构的方法及半导体结构 [P].

洪政源 ;

田伟辰 ;

黄俊凯 ;

叶昌鑫 ;

吴以德 .

中国专利 :CN112582252A ,2021-03-30

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