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半导体结构及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201110459412.8
申请日：
2011-12-31
公开(公告)号：
CN103187448B
公开(公告)日：
2013-07-03
发明(设计)人：
倪景华 李凤莲
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
骆苏华
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2016-03-16 授权 授权
2013-07-31 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101499124348 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011104594128 申请日:20111231
2013-07-03 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
倪景华 ;
李凤莲 .
中国专利 :CN103187449B ,2013-07-03
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
三重野文健 .
中国专利 :CN104617093B ,2015-05-13
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
景友亮 .
中国专利 :CN113764279B ,2024-11-01
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
景友亮 .
中国专利 :CN113764279A ,2021-12-07
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
丁亚 ;
杨林宏 ;
张艳红 ;
杜义琛 ;
陈秋颖 .
中国专利 :CN117672973A ,2024-03-08
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
景友亮 .
中国专利 :CN113823688B ,2025-05-02
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
陈天锐 .
中国专利 :CN118785689A ,2024-10-15
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
黄兴凯 .
中国专利 :CN118632531A ,2024-09-10
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
郑二虎 ;
陈卓凡 ;
苏博 .
中国专利 :CN114530501A ,2022-05-24
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
刘金华 .
中国专利 :CN104900501A ,2015-09-09
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