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半导体装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110429021.5
申请日：
2021-04-21
公开(公告)号：
CN113783159A
公开(公告)日：
2021-12-10
发明(设计)人：
佐藤宪一郎
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号：
H02H304
IPC分类号：
H02H308 H02H324 H02H504 H02H710 G01K102 G01R19175
代理机构：
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人：
周爽;金玉兰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-12-10 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体装置 [P]. 
矶部太辅 .
中国专利 :CN114450876A ,2022-05-06
[2]
半导体装置 [P]. 
皆川启 .
日本专利 :CN120956251A ,2025-11-14
[3]
半导体装置 [P]. 
大贯达也 ;
松崎隆德 ;
热海知昭 ;
石津贵彦 .
中国专利 :CN111418053A ,2020-07-14
[4]
半导体装置 [P]. 
大贯达也 ;
松崎隆德 ;
热海知昭 ;
石津贵彦 .
日本专利 :CN111418053B ,2025-02-21
[5]
半导体装置 [P]. 
手塚伸一 ;
大桥英知 .
中国专利 :CN107005234A ,2017-08-01
[6]
半导体装置 [P]. 
西村一广 ;
田口晃一 ;
王丸武志 ;
冈本是英 ;
东幸干 .
日本专利 :CN118922939A ,2024-11-08
[7]
半导体装置 [P]. 
宫沢繁美 .
中国专利 :CN111953331A ,2020-11-17
[8]
半导体装置 [P]. 
松崎隆德 ;
斋藤利彦 ;
冈本佑树 .
日本专利 :CN119452415A ,2025-02-14
[9]
半导体装置 [P]. 
木之内伸一 ;
中武浩 ;
海老池勇史 ;
古川彰彦 ;
今泉昌之 .
中国专利 :CN103098198A ,2013-05-08
[10]
半导体装置 [P]. 
金子佐一郎 ;
国松崇 .
中国专利 :CN101252129B ,2008-08-27
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