LDMOS器件及其制备方法以及芯片

被引：0

申请号：

CN202210875450.X

申请日：

2022-07-25

公开(公告)号：

CN115084245B

公开(公告)日：

2022-09-20

发明(设计)人：

赵东艳王于波郁文陈燕宁刘芳付振余山邓永峰吴波王帅鹏

申请人：

申请人地址：

102200 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

李红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	公开	公开
2023-01-17	授权	授权

共 50 条

[1]

双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片 [P].

陈燕宁 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

董广智 ;

付振 ;

刘芳 ;

余山 ;

郁文 ;

邓永峰 ;

王凯 .

中国专利 :CN114937695A ,2022-08-23

[2]

LDMOS器件、制备方法及芯片 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

郁文 ;

陈燕宁 ;

刘芳 ;

付振 ;

余山 ;

吴波 ;

王帅鹏 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN115084235B ,2022-09-20

[3]

LDMOS的制作方法及LDMOS器件 [P].

刘俊文 ;

陈华伦 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN111129153A ,2020-05-08

[4]

用于制备高压LDMOS器件的方法及器件 [P].

郁文 ;

陈燕宁 ;

赵东艳 ;

王于波 ;

付振 ;

刘芳 ;

王帅鹏 ;

邓永峰 ;

王凯 .

中国专利 :CN113707558A ,2021-11-26

[5]

LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王帅鹏 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 ;

张同 .

中国专利 :CN115274858B ,2023-01-17

[6]

LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王帅鹏 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 ;

张同 .

中国专利 :CN115274857B ,2023-01-24

[7]

LDMOS器件及其制备方法 [P].

卢光远 ;

陈天 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN115064586B ,2025-12-09

[8]

LDMOS器件及其制备方法 [P].

卢光远 ;

陈天 ;

肖莉 ;

王黎 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN115064586A ,2022-09-16

[9]

LDMOS器件及其制备方法 [P].

王芳 .

中国专利 :CN119486203A ,2025-02-18

[10]

LDMOS器件及其制备方法、芯片 [P].

黄伟宗 .

中国专利 :CN118676002A ,2024-09-20

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