学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201610757252.8
申请日：
2016-08-29
公开(公告)号：
CN106206888A
公开(公告)日：
2016-12-07
发明(设计)人：
李国强 王文樑 杨美娟 林云昊
申请人：
申请人地址：
510640 广东省广州市天河区五山路381号
IPC主分类号：
H01L3306
IPC分类号：
H01L3332 H01L3302 H01L3300
代理机构：
广州市华学知识产权代理有限公司 44245
代理人：
罗观祥
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-09-14 授权 授权
2017-01-04 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695178967 IPC(主分类):H01L 33/06 专利申请号:2016107572528 申请日:20160829
2016-12-07 公开 公开
共 50 条
[1]
生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
杨美娟 ;
林云昊 .
中国专利 :CN206225395U ,2017-06-06
[2]
生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
杨为家 ;
刘作莲 ;
林云昊 ;
周仕忠 ;
钱慧荣 .
中国专利 :CN203983322U ,2014-12-03
[3]
生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
杨为家 ;
刘作莲 ;
林云昊 ;
周仕忠 ;
钱慧荣 .
中国专利 :CN104134727A ,2014-11-05
[4]
生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
杨为家 ;
刘作莲 ;
林云昊 .
中国专利 :CN203339206U ,2013-12-11
[5]
生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
高芳亮 ;
温雷 .
中国专利 :CN106505135B ,2017-03-15
[6]
生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
杨为家 ;
刘作莲 ;
林云昊 .
中国专利 :CN103296159B ,2013-09-11
[7]
生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P]. 
李国强 ;
高芳亮 ;
温雷 .
中国专利 :CN206422090U ,2017-08-18
[8]
生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
刘作莲 ;
杨为家 ;
林云昊 ;
周仕忠 ;
钱慧荣 .
中国专利 :CN104157754B ,2014-11-19
[9]
生长在铝酸镁钪衬底上的GaN薄膜 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
朱运农 ;
杨为家 .
中国专利 :CN206225325U ,2017-06-06
[10]
生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
刘作莲 ;
杨为家 ;
林云昊 ;
周仕忠 ;
钱慧荣 .
中国专利 :CN204067413U ,2014-12-31
12345