CMP研磨剂以及研磨方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480003202.6

申请日：

2004-01-30

公开(公告)号：

CN100377310C

公开(公告)日：

2006-03-08

发明(设计)人：

深泽正人吉田诚人小山直之大槻裕人山岸智明榎本和宏芳贺浩二仓田靖

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

C09K314

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

钟晶

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-26	授权	授权
2006-03-08	公开	公开

共 50 条

[1]

CMP研磨剂以及衬底的研磨方法 [P].

深泽正人 ;

小山直之 ;

仓田靖 ;

芳贺浩二 ;

阿久津利明 ;

大槻裕人 .

中国专利 :CN1985361A ,2007-06-20

[2]

CMP研磨剂以及衬底的研磨方法 [P].

深泽正人 ;

小山直之 ;

仓田靖 ;

芳贺浩二 ;

阿久津利明 ;

大槻裕人 .

中国专利 :CN101311205A ,2008-11-26

[3]

CMP研磨剂、CMP研磨剂用添加液以及使用了这些的基板的研磨方法 [P].

深泽正人 ;

山岸智明 ;

木村忠广 ;

阿久津利明 .

中国专利 :CN101511538A ,2009-08-19

[4]

CMP研磨剂以及衬底的研磨方法 [P].

深泽正人 ;

小山直之 ;

仓田靖 ;

芳贺浩二 ;

阿久津利明 ;

大槻裕人 .

中国专利 :CN102585765A ,2012-07-18

[5]

氧化硅用研磨剂、添加液以及研磨方法 [P].

西山雅也 ;

深泽正人 ;

阿久津利明 ;

榎本和宏 ;

芦泽寅之助 ;

大槻裕人 .

中国专利 :CN101305450A ,2008-11-12

[6]

CMP研磨剂及基板的研磨方法 [P].

芳贺浩二 ;

大槻裕人 ;

仓田靖 ;

榎本和宏 .

中国专利 :CN1982401B ,2007-06-20

[7]

CMP研磨剂及基板的研磨方法 [P].

芳贺浩二 ;

大槻裕人 ;

仓田靖 ;

榎本和宏 .

中国专利 :CN100339954C ,2005-09-28

[8]

CMP研磨剂及基板的研磨方法 [P].

芳贺浩二 ;

大槻裕人 ;

仓田靖 ;

榎本和宏 .

中国专利 :CN101029214A ,2007-09-05

[9]

绝缘膜研磨用CMP研磨剂、研磨方法、通过该研磨方法研磨的半导体电子部件 [P].

深泽正人 ;

榎本和宏 ;

山岸智明 ;

小山直之 .

中国专利 :CN101375376B ,2009-02-25

[10]

研磨剂以及研磨方法 [P].

竹宫聪 ;

真丸幸惠 .

中国专利 :CN100468647C ,2007-03-14

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