一种化合物半导体大面积气相外延用喷口分布方式

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410110962.2

申请日：

2014-03-25

公开(公告)号：

CN103911657A

公开(公告)日：

2014-07-09

发明(设计)人：

张俊业刘鹏左然赵红军魏武张国义童玉珍

申请人：

申请人地址：

523518 广东省东莞市企石镇科技工业园

IPC主分类号：

C30B2514

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584236752 IPC(主分类):C30B 25/14 专利申请号:2014101109622 申请日:20140325
2017-04-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101749356924 IPC(主分类):C30B 25/14 专利申请号:2014101109622 申请公布日:20140709
2014-07-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种化合物半导体大面积气相外延用圆环形喷口分布方式 [P].

张俊业 ;

刘鹏 ;

左然 ;

赵红军 ;

魏武 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN103789825A ,2014-05-14

[2]

化合物半导体的气相外延工艺 [P].

冈久拓司 ;

津充 ;

松岛政人 ;

三浦祥纪 ;

元木健作 ;

关寿 ;

纐缬明伯 .

中国专利 :CN1164759A ,1997-11-12

[3]

近空间升华法制备大面积化合物半导体源 [P].

冯良桓 ;

黎兵 ;

蔡伟 ;

蔡亚萍 .

中国专利 :CN101649442A ,2010-02-17

[4]

一种半导体化合物的外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

刘超 ;

陈凯辉 .

中国专利 :CN120193334A ,2025-06-24

[5]

一种半导体化合物的外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

刘超 ;

陈凯辉 .

中国专利 :CN120193334B ,2025-08-05

[6]

一种氮化物半导体材料气相外延用反应器设计及方法 [P].

魏武 ;

刘鹏 ;

熊欢 ;

张俊业 ;

赵红军 ;

童玉珍 ;

张国义 .

中国专利 :CN103789823A ,2014-05-14

[7]

一种基于外延生长的化合物半导体器件及其制备方法 [P].

王智勇 ;

李颖 ;

兰天 .

中国专利 :CN108878369A ,2018-11-23

[8]

一种材料气相外延用扇形喷头结构 [P].

张俊业 ;

刘鹏 ;

毕绿燕 ;

赵红军 ;

袁志鹏 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN103103501A ,2013-05-15

[9]

一种化合物半导体外延尾气回收利用装置 [P].

邱长春 ;

朱利荣 ;

于洋 ;

乐昀 ;

赵霖 ;

邱浩铭 ;

丛卫军 ;

刘志超 .

中国专利 :CN209306960U ,2019-08-27

[10]

一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件 [P].

胡双元 ;

黄勇 ;

朱忻 .

中国专利 :CN205004354U ,2016-01-27

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