化合物半导体的气相外延工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97104545.3

申请日：

1997-03-25

公开(公告)号：

CN1164759A

公开(公告)日：

1997-11-12

发明(设计)人：

冈久拓司 津充松岛政人三浦祥纪元木健作关寿纐缬明伯

申请人：

申请人地址：

日本兵库

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C30B2500

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

冯赓宣

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-01-01	授权	授权
1997-11-12	公开	公开
2012-06-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101262310222 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL971045453 申请日:19970325 授权公告日:20030101 终止日期:20110325
1999-04-14	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

一种化合物半导体大面积气相外延用喷口分布方式 [P].

张俊业 ;

刘鹏 ;

左然 ;

赵红军 ;

魏武 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN103911657A ,2014-07-09

[2]

化合物半导体外延基板 [P].

中野强 .

中国专利 :CN101484986B ,2009-07-15

[3]

化合物半导体衬底、外延衬底、制造化合物半导体衬底和外延衬底的方法 [P].

西浦隆幸 ;

堀江裕介 ;

坪仓光隆 ;

大滨理 .

中国专利 :CN1877854A ,2006-12-13

[4]

一种化合物半导体大面积气相外延用圆环形喷口分布方式 [P].

张俊业 ;

刘鹏 ;

左然 ;

赵红军 ;

魏武 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN103789825A ,2014-05-14

[5]

化合物半导体及其外延方法 [P].

冉军学 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN110164757A ,2019-08-23

[6]

化合物半导体外延基板的制造方法 [P].

小广健司 ;

高田朋幸 .

中国专利 :CN100576449C ,2006-12-13

[7]

硅表面上Ⅲ-V化合物半导体的外延生长 [P].

万幸仁 ;

柯志欣 ;

吴政宪 .

中国专利 :CN102280469B ,2011-12-14

[8]

化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P].

菱木繁臣 ;

川村启介 .

中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18

[9]

化合物半导体元件及化合物半导体装置 [P].

梁皓钧 ;

杨伟善 ;

詹耀宁 ;

陈怡名 ;

李世昌 .

中国专利 :CN114078993A ,2022-02-22

[10]

基于ICP的化合物半导体的外延生长装置及方法 [P].

罗毅 ;

王健 ;

郝智彪 ;

汪莱 .

中国专利 :CN103806093A ,2014-05-21

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