化合物半导体外延基板的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480033046.8

申请日：

2004-11-08

公开(公告)号：

CN100576449C

公开(公告)日：

2006-12-13

发明(设计)人：

小广健司高田朋幸

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱丹

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-30	授权	授权
2006-12-13	公开	公开
2007-02-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2020-10-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20041108 授权公告日:20091230 终止日期:20191108

共 50 条

[1]

化合物半导体外延基板 [P].

中野强 .

中国专利 :CN101484986B ,2009-07-15

[2]

化合物半导体外延片及其制造方法 [P].

酒井健滋 ;

桑原政彦 .

中国专利 :CN113345991A ,2021-09-03

[3]

化合物半导体外延片及其制造方法 [P].

篠原政幸 ;

酒井健滋 ;

高桥雅宣 .

中国专利 :CN113675306A ,2021-11-19

[4]

化合物半导体基板的制造方法以及化合物半导体基板 [P].

生川满久 ;

铃木悠宜 ;

大内澄人 .

中国专利 :CN109964306A ,2019-07-02

[5]

半导体外延衬底、化合物半导体器件及其制造方法 [P].

今西健治 ;

吉川俊英 ;

田中丈士 ;

守谷美彦 ;

乙木洋平 .

中国专利 :CN101276792A ,2008-10-01

[6]

化合物半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

小野善伸 ;

上田和正 .

中国专利 :CN1871699A ,2006-11-29

[7]

化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法 [P].

菱木繁臣 ;

川村启介 .

中国专利 :CN112997283A ,2021-06-18

[8]

化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法 [P].

奥秀彦 ;

秀一郎 .

中国专利 :CN108699687B ,2022-03-01

[9]

化合物半导体衬底、外延衬底、制造化合物半导体衬底和外延衬底的方法 [P].

西浦隆幸 ;

堀江裕介 ;

坪仓光隆 ;

大滨理 .

中国专利 :CN1877854A ,2006-12-13

[10]

化合物半导体外延晶片及其制造方法 [P].

久米史高 ;

筱原政幸 .

中国专利 :CN101809769A ,2010-08-18

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