化合物半导体外延基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780025186.4

申请日：

2007-05-28

公开(公告)号：

CN101484986B

公开(公告)日：

2009-07-15

发明(设计)人：

中野强

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L21338

IPC分类号：

H01L29201 H01L29778 H01L29812

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

朱丹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-15	公开	公开
2012-08-08	授权	授权

共 50 条

[1]

化合物半导体外延基板的制造方法 [P].

小广健司 ;

高田朋幸 .

中国专利 :CN100576449C ,2006-12-13

[2]

化合物半导体外延片及其制造方法 [P].

酒井健滋 ;

桑原政彦 .

中国专利 :CN113345991A ,2021-09-03

[3]

化合物半导体外延片及其制造方法 [P].

篠原政幸 ;

酒井健滋 ;

高桥雅宣 .

中国专利 :CN113675306A ,2021-11-19

[4]

化合物半导体基板 [P].

铃木悠宜 ;

大内澄人 ;

生川满久 ;

川村启介 .

中国专利 :CN113302345A ,2021-08-24

[5]

化合物半导体基板 [P].

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

生川满久 ;

川村启介 .

中国专利 :CN111433889A ,2020-07-17

[6]

化合物半导体基板 [P].

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

生川满久 ;

川村启介 .

日本专利 :CN113227467B ,2025-02-21

[7]

化合物半导体基板 [P].

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

生川满久 ;

川村启介 .

中国专利 :CN113227467A ,2021-08-06

[8]

化合物半导体基板 [P].

深泽晓 ;

生川满久 ;

川村启介 .

中国专利 :CN107408511B ,2017-11-28

[9]

化合物半导体基板 [P].

生川满久 ;

大内澄人 ;

铃木悠宜 ;

川村启介 .

中国专利 :CN110402484A ,2019-11-01

[10]

化合物半导体基板的制造方法以及化合物半导体基板 [P].

生川满久 ;

铃木悠宜 ;

大内澄人 .

中国专利 :CN109964306A ,2019-07-02

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