基于ICP的化合物半导体的外延生长装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410053424.4

申请日：

2014-02-17

公开(公告)号：

CN103806093A

公开(公告)日：

2014-05-21

发明(设计)人：

罗毅王健郝智彪汪莱

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区100084-82信箱

IPC主分类号：

C30B2508

IPC分类号：

C30B2502 H01L21205

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

张大威

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-18	授权	授权
2014-05-21	公开	公开
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583085707 IPC(主分类):C30B 25/08 专利申请号:2014100534244 申请日:20140217

共 50 条

[1]

等离子体增强原子吸附的化合物半导体的外延生长装置 [P].

罗毅 ;

王健 ;

郝智彪 ;

汪莱 ;

韩彦军 ;

孙长征 ;

熊兵 ;

李洪涛 .

中国专利 :CN105648523A ,2016-06-08

[2]

一种基于外延生长的化合物半导体器件及其制备方法 [P].

王智勇 ;

李颖 ;

兰天 .

中国专利 :CN108878369A ,2018-11-23

[3]

硅表面上Ⅲ-V化合物半导体的外延生长 [P].

万幸仁 ;

柯志欣 ;

吴政宪 .

中国专利 :CN102280469B ,2011-12-14

[4]

一种半导体化合物的外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

刘超 ;

陈凯辉 .

中国专利 :CN120193334A ,2025-06-24

[5]

一种半导体化合物的外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

刘超 ;

陈凯辉 .

中国专利 :CN120193334B ,2025-08-05

[6]

用于化合物半导体材料外延生长的过滤器的维护装置 [P].

谷礼杰 ;

李祥 ;

尧舜 ;

刘晨晖 .

中国专利 :CN115648118A ,2023-01-31

[7]

使用晶格调整的晶畴匹配外延的化合物半导体的外延生长 [P].

A·M·霍里鲁克 ;

D·斯蒂尔恩兹 .

中国专利 :CN104517817A ,2015-04-15

[8]

氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 [P].

冯淦 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN1209793C ,2004-04-21

[9]

化合物半导体的气相外延工艺 [P].

冈久拓司 ;

津充 ;

松岛政人 ;

三浦祥纪 ;

元木健作 ;

关寿 ;

纐缬明伯 .

中国专利 :CN1164759A ,1997-11-12

[10]

化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法 [P].

伊籐裕规 ;

岩渕昭夫 ;

施欣宏 .

中国专利 :CN102637734A ,2012-08-15

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