集成电路及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110585596.6
申请日
2021-05-27
公开(公告)号
CN113488466A
公开(公告)日
2021-10-08
发明(设计)人
程仲良
申请人
申请人地址
中国台湾新竹
IPC主分类号
H01L27088
IPC分类号
H01L218234
代理机构
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
章社杲;李伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
集成电路及其形成方法 [P]. 
程仲良 .
中国专利 :CN113517278B ,2025-03-28
[2]
集成电路及其形成方法 [P]. 
程仲良 .
中国专利 :CN113517279B ,2025-01-14
[3]
集成电路及其形成方法 [P]. 
程仲良 .
中国专利 :CN113517279A ,2021-10-19
[4]
集成电路及其形成方法 [P]. 
程仲良 .
中国专利 :CN113517278A ,2021-10-19
[5]
集成电路及其形成方法 [P]. 
陈奕寰 ;
陈奕升 ;
范富杰 ;
刘思贤 ;
林大为 ;
郑光茗 ;
周建志 .
中国专利 :CN109560081B ,2019-04-02
[6]
集成电路及其形成方法 [P]. 
庄学理 ;
吴伟成 ;
邓立峯 ;
刘礼荣 .
中国专利 :CN113394274A ,2021-09-14
[7]
集成电路及其形成方法 [P]. 
陈奕寰 ;
周建志 ;
亚历山大·卡尔尼斯基 ;
郑光茗 .
中国专利 :CN112018069B ,2020-12-01
[8]
集成电路及其形成方法 [P]. 
庄学理 ;
吴伟成 ;
邓立峯 ;
刘礼荣 .
中国专利 :CN113394274B ,2024-07-12
[9]
集成电路及其形成方法 [P]. 
谌俊元 ;
苏焕杰 ;
江国诚 ;
王志豪 .
中国专利 :CN120322008A ,2025-07-15
[10]
集成电路及其形成方法 [P]. 
陈姿妤 ;
涂国基 ;
朱文定 ;
才永轩 .
中国专利 :CN110429086B ,2019-11-08