基板处理装置以及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710116659.7

申请日：

2017-03-01

公开(公告)号：

CN107871653A

公开(公告)日：

2018-04-03

发明(设计)人：

吉野晃生保井毅

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟;闫剑平

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-25	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20181205 变更事项:申请人变更前权利人:株式会社日立国际电气变更后权利人:株式会社国际电气变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2018-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170301
2020-06-16	授权	授权
2018-04-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法、基板处理装置以及半导体器件 [P].

山崎裕久 .

中国专利 :CN102741981A ,2012-10-17

[2]

基板处理装置以及半导体器件的制造方法 [P].

中田高行 ;

谷山智志 ;

白子贤治 .

中国专利 :CN107026108B ,2017-08-08

[3]

基板处理装置、以及半导体器件的制造方法 [P].

石丸信雄 .

中国专利 :CN112563109A ,2021-03-26

[4]

基板处理装置、以及半导体器件的制造方法 [P].

石丸信雄 .

日本专利 :CN112563109B ,2024-12-10

[5]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及基板处理方法 [P].

大桥直史 ;

竹田刚 ;

吉野晃生 .

日本专利 :CN118020145A ,2024-05-10

[6]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质 [P].

大桥直史 ;

天野富大 ;

宫田智之 .

日本专利 :CN117497445A ,2024-02-02

[7]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序 [P].

中谷一夫 ;

安藤文恵 ;

西浦进 ;

越湖裕 .

中国专利 :CN114270490A ,2022-04-01

[8]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序 [P].

坪田康寿 ;

中山雅则 ;

舟木克典 ;

上田立志 ;

竹岛雄一郎 ;

市村圭太 ;

井川博登 ;

山角宥贵 ;

岸本宗树 .

中国专利 :CN114788419A ,2022-07-22

[9]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序 [P].

白子贤治 ;

谷山智志 .

中国专利 :CN113508455A ,2021-10-15

[10]

基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序 [P].

室林正季 ;

原田幸一郎 ;

井川博登 ;

吉野晃生 ;

中山雅则 .

中国专利 :CN111033701A ,2020-04-17

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