半导体装置及半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010886116.5

申请日：

2020-08-28

公开(公告)号：

CN112447610A

公开(公告)日：

2021-03-05

发明(设计)人：

中田洋辅

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2300

IPC分类号：

H01L2331

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

何立波;张天舒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/00 申请日:20200828
2021-03-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体元件 [P].

中田洋辅 .

日本专利 :CN121149092A ,2025-12-16

[2]

半导体元件及半导体装置 [P].

岩鍜治阳子 ;

末代知子 ;

系数裕子 ;

河村圭子 ;

布施香织 ;

罇贵子 .

日本专利 :CN114171590B ,2025-08-22

[3]

半导体元件及半导体装置 [P].

岩鍜治阳子 ;

末代知子 ;

系数裕子 ;

河村圭子 ;

布施香织 ;

罇贵子 .

中国专利 :CN114171590A ,2022-03-11

[4]

半导体元件、半导体装置 [P].

小西和也 ;

西康一 ;

古川彰彦 .

日本专利 :CN120857529A ,2025-10-28

[5]

半导体元件、半导体装置 [P].

小西和也 ;

西康一 ;

古川彰彦 .

日本专利 :CN114497200B ,2025-07-18

[6]

半导体元件、半导体装置 [P].

小西和也 ;

西康一 ;

古川彰彦 .

中国专利 :CN114497200A ,2022-05-13

[7]

半导体元件和使用半导体元件的半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

加藤清 ;

矶部敦生 ;

宫入秀和 ;

须泽英臣 .

中国专利 :CN101217150B ,2008-07-09

[8]

半导体元件和使用半导体元件的半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

加藤清 ;

矶部敦生 ;

宫入秀和 ;

须泽英臣 .

中国专利 :CN100350617C ,2003-09-24

[9]

半导体元件及半导体装置 [P].

内田正雄 .

中国专利 :CN202394977U ,2012-08-22

[10]

半导体元件以及半导体装置 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN101483193B ,2009-07-15

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