多芯片并联的氮化镓模块

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202121549973.2

申请日：

2021-07-08

公开(公告)号：

CN215578523U

公开(公告)日：

2022-01-18

发明(设计)人：

成浩诸盼盼赵冲庄伟东

申请人：

申请人地址：

211200 江苏省南京市溧水开发区秀山西路9号银茂工业园

IPC主分类号：

H01L23367

IPC分类号：

H01L2315 H01L25065

代理机构：

南京中擎科智知识产权代理事务所(普通合伙) 32549

代理人：

黄智明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-18	授权	授权

共 50 条

[1]

集成驱动电路的多芯片并联氮化镓功率模块 [P].

曾正 ;

邹铭锐 ;

王明强 ;

丁顺 ;

陈迎 .

中国专利 :CN119230506A ,2024-12-31

[2]

氮化镓功率模块 [P].

陈云 ;

傅玥 ;

孔令涛 .

中国专利 :CN309210589S ,2025-04-01

[3]

一种多芯片并联功率模块 [P].

余秋萍 ;

孙鹏 ;

赵斌 ;

赵志斌 .

中国专利 :CN214203683U ,2021-09-14

[4]

一种氮化镓芯片在功率模块中的封装结构 [P].

杨芳 .

中国专利 :CN223712756U ,2025-12-23

[5]

内匹配氮化镓多芯片集成功率放大模块 [P].

陈晨 .

中国专利 :CN109860166A ,2019-06-07

[6]

一种硅衬底的氮化镓芯片 [P].

张江鹏 ;

路立峰 ;

唐兰香 ;

甘琨 ;

高建海 .

中国专利 :CN209880591U ,2019-12-31

[7]

一种氮化镓功率模块 [P].

陈云 ;

傅玥 ;

孔令涛 ;

周叶凡 .

中国专利 :CN221102058U ,2024-06-07

[8]

陶瓷衬底的氮化镓基芯片 [P].

金木子 ;

彭刚 .

中国专利 :CN202058735U ,2011-11-30

[9]

一种多芯片并联的功率模块的封装结构及封装方法 [P].

吕坚玮 ;

陈材 ;

黄志召 ;

张弛 ;

刘新民 ;

康勇 .

中国专利 :CN113497014B ,2022-06-07

[10]

多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

李志军 ;

朱永斌 ;

邱嘉龙 ;

何祖辉 ;

邱秀华 .

中国专利 :CN212850224U ,2021-03-30

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