多芯片并联的半桥型IGBT模块

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021295858.2

申请日：

2020-07-05

公开(公告)号：

CN212850224U

公开(公告)日：

2021-03-30

发明(设计)人：

李志军朱永斌邱嘉龙何祖辉邱秀华

申请人：

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区平江路328号6幢一层

IPC主分类号：

H02M100

IPC分类号：

H05K720

代理机构：

北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589

代理人：

曹玉清

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	授权	授权

共 50 条

[1]

多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

王立 ;

潘政薇 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN110112122A ,2019-08-09

[2]

多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

王立 ;

潘政薇 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN209896059U ,2020-01-03

[3]

多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

王立 ;

潘政薇 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN110112122B ,2024-07-19

[4]

一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

谢龙飞 ;

王豹子 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN213459734U ,2021-06-15

[5]

一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

谢龙飞 ;

王豹子 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN112234054A ,2021-01-15

[6]

一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

谢龙飞 ;

王豹子 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN112234054B ,2025-04-18

[7]

一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

庄伟东 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN108074917A ,2018-05-25

[8]

一种多芯片并联半桥IGBT器件 [P].

王蕤 ;

赵仕林 ;

常飞浩 ;

徐阳 ;

陈阳 ;

李洪涛 .

中国专利 :CN120897496A ,2025-11-04

[9]

一种多芯片并联的半桥型MOSFET模块 [P].

陈材 ;

花伟杰 ;

黄志召 ;

刘新民 ;

康勇 .

中国专利 :CN114093856B ,2024-09-06

[10]

一种多芯片并联的半桥型MOSFET模块 [P].

陈材 ;

花伟杰 ;

黄志召 ;

刘新民 ;

康勇 .

中国专利 :CN114093856A ,2022-02-25

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