一种多芯片并联的半桥型IGBT模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011169526.4

申请日：

2020-10-28

公开(公告)号：

CN112234054B

公开(公告)日：

2025-04-18

发明(设计)人：

姚二现谢龙飞王豹子李宇柱

申请人：

南瑞联研半导体有限责任公司

申请人地址：

211100 江苏省南京市江宁区诚信大道19号

IPC主分类号：

H01L25/18

IPC分类号：

H01L23/498

代理机构：

南京纵横知识产权代理有限公司 32224

代理人：

钱玲玲

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

谢龙飞 ;

王豹子 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN112234054A ,2021-01-15

[2]

一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

谢龙飞 ;

王豹子 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN213459734U ,2021-06-15

[3]

多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

王立 ;

潘政薇 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN110112122A ,2019-08-09

[4]

多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

王立 ;

潘政薇 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN209896059U ,2020-01-03

[5]

多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

王立 ;

潘政薇 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN110112122B ,2024-07-19

[6]

一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

庄伟东 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN108074917A ,2018-05-25

[7]

多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

李志军 ;

朱永斌 ;

邱嘉龙 ;

何祖辉 ;

邱秀华 .

中国专利 :CN212850224U ,2021-03-30

[8]

一种多芯片并联半桥IGBT器件 [P].

王蕤 ;

赵仕林 ;

常飞浩 ;

徐阳 ;

陈阳 ;

李洪涛 .

中国专利 :CN120897496A ,2025-11-04

[9]

一种多芯片并联的半桥型MOSFET模块 [P].

陈材 ;

花伟杰 ;

黄志召 ;

刘新民 ;

康勇 .

中国专利 :CN114093856B ,2024-09-06

[10]

一种多芯片并联的半桥型MOSFET模块 [P].

陈材 ;

花伟杰 ;

黄志召 ;

刘新民 ;

康勇 .

中国专利 :CN114093856A ,2022-02-25

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