一种多芯片并联的半桥型MOSFET模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010876277.6

申请日：

2020-08-25

公开(公告)号：

CN114093856A

公开(公告)日：

2022-02-25

发明(设计)人：

陈材花伟杰黄志召刘新民康勇

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L2331 H01L2500 H01L2348

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

李智

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	公开	公开
2022-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/07 申请日:20200825

共 50 条

[1]

一种多芯片并联的半桥型MOSFET模块 [P].

陈材 ;

花伟杰 ;

黄志召 ;

刘新民 ;

康勇 .

中国专利 :CN114093856B ,2024-09-06

[2]

一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

庄伟东 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN108074917A ,2018-05-25

[3]

多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

王立 ;

潘政薇 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN110112122A ,2019-08-09

[4]

多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

王立 ;

潘政薇 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN209896059U ,2020-01-03

[5]

多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

王立 ;

潘政薇 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN110112122B ,2024-07-19

[6]

一种基于SiC MOSFET的多芯片并联半桥模块 [P].

王来利 ;

赵成 ;

杨俊辉 ;

袁天舒 ;

吴世杰 ;

聂延 .

中国专利 :CN114695290A ,2022-07-01

[7]

多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

李志军 ;

朱永斌 ;

邱嘉龙 ;

何祖辉 ;

邱秀华 .

中国专利 :CN212850224U ,2021-03-30

[8]

一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

谢龙飞 ;

王豹子 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN112234054A ,2021-01-15

[9]

一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

谢龙飞 ;

王豹子 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN112234054B ,2025-04-18

[10]

一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P].

姚二现 ;

谢龙飞 ;

王豹子 ;

李宇柱 .

中国专利 :CN213459734U ,2021-06-15

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