一种多芯片并联半桥IGBT器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202511014062.2
申请日
2025-07-23
公开(公告)号
CN120897496A
公开(公告)日
2025-11-04
发明(设计)人
王蕤 赵仕林 常飞浩 徐阳 陈阳 李洪涛
申请人
南京南瑞半导体有限公司 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
申请人地址
211106 江苏省南京市江宁经济开发区诚信大道19号2幢
IPC主分类号
H10D80/20
IPC分类号
H01L23/498 H02M1/00 H02M7/00 H02M7/5387
代理机构
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204
代理人
沈丹
法律状态
公开
国省代码
江苏省 南京市
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共 50 条
[1]
一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P]. 
庄伟东 ;
李宇柱 .
中国专利 :CN108074917A ,2018-05-25
[2]
多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P]. 
姚二现 ;
王立 ;
潘政薇 ;
李宇柱 .
中国专利 :CN209896059U ,2020-01-03
[3]
多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P]. 
姚二现 ;
王立 ;
潘政薇 ;
李宇柱 .
中国专利 :CN110112122B ,2024-07-19
[4]
多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P]. 
姚二现 ;
王立 ;
潘政薇 ;
李宇柱 .
中国专利 :CN110112122A ,2019-08-09
[5]
一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P]. 
姚二现 ;
谢龙飞 ;
王豹子 ;
李宇柱 .
中国专利 :CN112234054A ,2021-01-15
[6]
一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P]. 
姚二现 ;
谢龙飞 ;
王豹子 ;
李宇柱 .
中国专利 :CN112234054B ,2025-04-18
[7]
一种多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P]. 
姚二现 ;
谢龙飞 ;
王豹子 ;
李宇柱 .
中国专利 :CN213459734U ,2021-06-15
[8]
多芯片并联的半桥型IGBT模块 [P]. 
李志军 ;
朱永斌 ;
邱嘉龙 ;
何祖辉 ;
邱秀华 .
中国专利 :CN212850224U ,2021-03-30
[9]
一种多芯片并联的半桥封装结构 [P]. 
毛锦进 ;
黄志召 ;
李宇雄 ;
王瑜涵 ;
姚俊林 .
中国专利 :CN222300670U ,2025-01-03
[10]
一种多芯片并联的半桥型MOSFET模块 [P]. 
陈材 ;
花伟杰 ;
黄志召 ;
刘新民 ;
康勇 .
中国专利 :CN114093856B ,2024-09-06