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一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201820758112.7
申请日：
2018-05-21
公开(公告)号：
CN208570594U
公开(公告)日：
2019-03-01
发明(设计)人：
安冰翀
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区亮秀路112号Y1座909室
IPC主分类号：
H01L23498
IPC分类号：
H01L23538
H01L2507
H01L2166
G01R1900
代理机构：
北京金信知识产权代理有限公司 11225
代理人：
刘锋;吴崇
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-03-01 | 授权 | 授权 |