超结器件和包括所述超结器件的半导体结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320674963.0

申请日：

2013-10-30

公开(公告)号：

CN203659876U

公开(公告)日：

2014-06-18

发明(设计)人：

F.希尔勒 A.毛德

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2910

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

马丽娜;王洪斌

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-18	授权	授权

共 50 条

[1]

超结器件和包括所述超结器件的半导体结构 [P].

F.希尔勒 ;

A.毛德 .

中国专利 :CN203659877U ,2014-06-18

[2]

超结器件和包括该超结器件的半导体结构 [P].

F.希尔勒 ;

A.毛德 .

中国专利 :CN203659870U ,2014-06-18

[3]

半导体超结功率器件 [P].

王鹏飞 ;

缪进征 ;

王睿 ;

袁愿林 .

中国专利 :CN121240495A ,2025-12-30

[4]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16

[5]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831A ,2025-01-24

[6]

超结半导体器件 [P].

田村隆博 ;

大西泰彦 .

中国专利 :CN102646708B ,2012-08-22

[7]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN120603304A ,2025-09-05

[8]

超结半导体器件 [P].

韩廷瑜 ;

叶彪 ;

张耀权 .

中国专利 :CN217306511U ,2022-08-26

[9]

超结结构和超结半导体器件的制造方法 [P].

罗小蓉 ;

姚国亮 ;

王元刚 ;

雷天飞 ;

葛瑞 ;

陈曦 .

中国专利 :CN102148163B ,2011-08-10

[10]

半导体超结功率器件 [P].

刘伟 ;

刘磊 ;

袁愿林 ;

王睿 .

中国专利 :CN116137283B ,2025-09-12

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