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超结器件和包括该超结器件的半导体结构
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201320674971.5
申请日：
2013-10-30
公开(公告)号：
CN203659870U
公开(公告)日：
2014-06-18
发明(设计)人：
F.希尔勒
A.毛德
申请人：
申请人地址：
奥地利菲拉赫
IPC主分类号：
H01L2910
IPC分类号：
H01L29423
H01L2978
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
马丽娜;王洪斌
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-06-18 | 授权 | 授权 |