包括集成电容器的半导体器件以及制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310298042.3
申请日
2013-07-11
公开(公告)号
CN103545309B
公开(公告)日
2014-01-29
发明(设计)人
P·巴尔 S·若布洛
申请人
申请人地址
法国蒙鲁
IPC主分类号
H01L2702
IPC分类号
H01L23522 H01L2364 H01L2102
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
王茂华
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
包括电容器的半导体器件 [P]. 
陈纮扬 ;
林天声 ;
邱奕正 ;
林宏洲 ;
陈益民 ;
吴国铭 ;
钟久华 .
中国专利 :CN110970405A ,2020-04-07
[2]
包括电容器的半导体器件 [P]. 
姜相列 ;
曹圭镐 ;
林汉镇 ;
黄澈盛 .
中国专利 :CN110034099A ,2019-07-19
[3]
包括电容器的半导体器件 [P]. 
朴硕汉 .
中国专利 :CN111384054A ,2020-07-07
[4]
包括电容器的半导体器件 [P]. 
朴硕汉 .
韩国专利 :CN111384054B ,2024-01-09
[5]
包括电容器的半导体器件 [P]. 
车炫松 .
韩国专利 :CN119677098A ,2025-03-21
[6]
电容器和包括电容器的半导体器件 [P]. 
朴正敏 ;
金志星 ;
林汉镇 ;
丁炯硕 .
韩国专利 :CN118804678A ,2024-10-18
[7]
电容器和包括该电容器的半导体器件 [P]. 
罗炳勋 ;
李基荣 ;
李周浩 ;
郑明镐 .
中国专利 :CN114792758A ,2022-07-26
[8]
包括电容器结构的半导体器件 [P]. 
白寅圭 ;
姜昑孝 ;
崔贤默 ;
洪淳亨 .
韩国专利 :CN119653783A ,2025-03-18
[9]
电容器结构、包括其的半导体器件和制造电容器结构的方法 [P]. 
赵天钦 ;
白东官 ;
蒋在完 ;
金铉彬 ;
李峻硕 .
韩国专利 :CN120343927A ,2025-07-18
[10]
电容器及制造电容器和半导体器件的方法 [P]. 
曹圭镐 ;
姜相列 ;
金洙焕 ;
文瑄敏 ;
朴瑛琳 ;
徐钟汎 ;
全柱炫 .
中国专利 :CN108807345B ,2018-11-13