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半导体器件的制备方法及半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110902056.6
申请日：
2021-08-06
公开(公告)号：
CN113629008A
公开(公告)日：
2021-11-09
发明(设计)人：
上官明沁
吕佐文
申请人：
申请人地址：
362200 福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L27108
H01L218242
代理机构：
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372
代理人：
陈超德;吴昊
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-11-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20210806 |
| 2021-11-09 | 公开 | 公开 |