一种降低大尺寸N型直拉单晶硅片碎片率的拉制方法

被引:0
申请号
CN202211065064.0
申请日
2022-08-31
公开(公告)号
CN115652426A
公开(公告)日
2023-01-31
发明(设计)人
刘立中 王军磊 王艺澄
申请人
申请人地址
014010 内蒙古自治区包头市昆都仑区金属深加工园区拓业路1号
IPC主分类号
C30B2906
IPC分类号
C30B1504
代理机构
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
任立
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种用于降低大尺寸直拉单晶硅片缺陷的拉制方法 [P]. 
刘立中 ;
王军磊 ;
王艺澄 .
中国专利 :CN113604870A ,2021-11-05
[2]
一种超薄单晶硅片的直拉制备方法 [P]. 
丁建宁 ;
袁宁一 .
中国专利 :CN103014838A ,2013-04-03
[3]
一种大尺寸高品质n型单晶硅片的制备方法 [P]. 
郭小飞 ;
付少剑 ;
方涛 ;
戴欣欣 ;
高芳丽 ;
柳冉冉 ;
蒋红洁 ;
许明艳 .
中国专利 :CN117187938B ,2024-08-30
[4]
一种降低炉压生长n型直拉单晶硅的方法 [P]. 
余学功 ;
黄杰 ;
胡泽晨 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN114540950A ,2022-05-27
[5]
一种N型直拉单晶硅的制备方法 [P]. 
王鑫 ;
王艺澄 ;
王军磊 ;
兰志勇 ;
何玉玺 .
中国专利 :CN117737831A ,2024-03-22
[6]
一种降低碎片率的单晶硅片脱胶工装制具 [P]. 
陈金桃 ;
谢士强 ;
陶慧生 ;
袁建建 .
中国专利 :CN114496897A ,2022-05-13
[7]
直拉法拉制单晶硅棒的方法、单晶硅棒、硅片及外延硅片 [P]. 
宋少杰 ;
车贤湖 ;
宋振亮 ;
王晨阳 .
中国专利 :CN115404539A ,2022-11-29
[8]
N型直拉单晶硅的制备方法 [P]. 
乔松 ;
司佳勇 ;
周浩 ;
唐磊 ;
尹东坡 ;
郭凯 .
中国专利 :CN103014836A ,2013-04-03
[9]
一种N型单晶硅片的制备方法 [P]. 
李吉 ;
夏利鹏 ;
赵朋松 ;
顾生刚 ;
杨二存 ;
赵本定 ;
刘海金 ;
赵小平 .
中国专利 :CN111180550A ,2020-05-19
[10]
一种提高大尺寸N型硅片转换效率的方法 [P]. 
刘立中 ;
王艺澄 ;
王军磊 .
中国专利 :CN114016122A ,2022-02-08