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选择性化学机械抛光钴、氧化锆、多晶硅和二氧化硅膜的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010958435.2
申请日
:
2020-09-11
公开(公告)号
:
CN112490120A
公开(公告)日
:
2021-03-12
发明(设计)人
:
M·G·伊瓦纳加姆
M·R·范汉尼赫姆
Y·郭
申请人
:
申请人地址
:
美国特拉华州
IPC主分类号
:
H01L21306
IPC分类号
:
C09G102
代理机构
:
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
:
乐洪咏;陈哲锋
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-03-30
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20200911
2021-03-12
公开
公开
共 50 条
[1]
选择性化学机械抛光钴、氧化锆、多晶硅和二氧化硅膜的方法
[P].
M·G·伊瓦纳加姆
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
M·G·伊瓦纳加姆
;
M·R·范汉尼赫姆
论文数:
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机构:
罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
M·R·范汉尼赫姆
;
Y·郭
论文数:
0
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0
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0
机构:
罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司
Y·郭
.
美国专利
:CN112490120B
,2024-12-10
[2]
化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组合物和方法
[P].
S·J·莱恩
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0
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S·J·莱恩
;
B·L·穆勒
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B·L·穆勒
;
C·于
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0
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0
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C·于
.
中国专利
:CN100350567C
,2006-02-01
[3]
化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的多步方法
[P].
S·J·莱恩
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S·J·莱恩
;
A·S·拉文
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A·S·拉文
;
B·L·米勒
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B·L·米勒
;
C·于
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C·于
.
中国专利
:CN1822325A
,2006-08-23
[4]
抛光二氧化硅多于氮化硅的化学机械抛光组合物和方法
[P].
N·K·彭塔
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N·K·彭塔
;
R·L·奥格
论文数:
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R·L·奥格
.
中国专利
:CN110964440A
,2020-04-07
[5]
用于对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物
[P].
S·J·兰
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S·J·兰
;
C·余
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C·余
.
中国专利
:CN101054498A
,2007-10-17
[6]
用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法
[P].
D.丹加
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D.丹加
;
K.莫根博格
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K.莫根博格
;
W.沃德
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W.沃德
;
D.马特加
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D.马特加
.
中国专利
:CN105393337A
,2016-03-09
[7]
用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法
[P].
D.丹加
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D.丹加
;
K.莫根博格
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K.莫根博格
;
W.沃德
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W.沃德
;
D.马特加
论文数:
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D.马特加
.
中国专利
:CN110238705A
,2019-09-17
[8]
多晶硅环的化学机械抛光方法
[P].
吴彦飞
论文数:
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机构:
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
吴彦飞
;
李玲玲
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机构:
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
李玲玲
;
张晓明
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机构:
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
张晓明
;
丁亚国
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宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
丁亚国
;
马全森
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宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
马全森
;
顾燕滨
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机构:
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
顾燕滨
.
中国专利
:CN114986384B
,2024-04-12
[9]
多晶硅环的化学机械抛光方法
[P].
吴彦飞
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吴彦飞
;
李玲玲
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李玲玲
;
张晓明
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张晓明
;
丁亚国
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丁亚国
;
马全森
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马全森
;
顾燕滨
论文数:
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顾燕滨
.
中国专利
:CN114986384A
,2022-09-02
[10]
一种化学机械抛光用二氧化硅及其制备方法和应用
[P].
秦冬霞
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秦冬霞
;
司徒粤
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司徒粤
;
黄丹
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黄丹
;
程翔
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程翔
;
梁少彬
论文数:
0
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0
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梁少彬
.
中国专利
:CN114560468B
,2022-05-31
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