选择性化学机械抛光钴、氧化锆、多晶硅和二氧化硅膜的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010958435.2
申请日
2020-09-11
公开(公告)号
CN112490120A
公开(公告)日
2021-03-12
发明(设计)人
M·G·伊瓦纳加姆 M·R·范汉尼赫姆 Y·郭
申请人
申请人地址
美国特拉华州
IPC主分类号
H01L21306
IPC分类号
C09G102
代理机构
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
乐洪咏;陈哲锋
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
选择性化学机械抛光钴、氧化锆、多晶硅和二氧化硅膜的方法 [P]. 
M·G·伊瓦纳加姆 ;
M·R·范汉尼赫姆 ;
Y·郭 .
美国专利 :CN112490120B ,2024-12-10
[2]
化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组合物和方法 [P]. 
S·J·莱恩 ;
B·L·穆勒 ;
C·于 .
中国专利 :CN100350567C ,2006-02-01
[3]
化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的多步方法 [P]. 
S·J·莱恩 ;
A·S·拉文 ;
B·L·米勒 ;
C·于 .
中国专利 :CN1822325A ,2006-08-23
[4]
抛光二氧化硅多于氮化硅的化学机械抛光组合物和方法 [P]. 
N·K·彭塔 ;
R·L·奥格 .
中国专利 :CN110964440A ,2020-04-07
[5]
用于对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物 [P]. 
S·J·兰 ;
C·余 .
中国专利 :CN101054498A ,2007-10-17
[6]
用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法 [P]. 
D.丹加 ;
K.莫根博格 ;
W.沃德 ;
D.马特加 .
中国专利 :CN105393337A ,2016-03-09
[7]
用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法 [P]. 
D.丹加 ;
K.莫根博格 ;
W.沃德 ;
D.马特加 .
中国专利 :CN110238705A ,2019-09-17
[8]
多晶硅环的化学机械抛光方法 [P]. 
吴彦飞 ;
李玲玲 ;
张晓明 ;
丁亚国 ;
马全森 ;
顾燕滨 .
中国专利 :CN114986384B ,2024-04-12
[9]
多晶硅环的化学机械抛光方法 [P]. 
吴彦飞 ;
李玲玲 ;
张晓明 ;
丁亚国 ;
马全森 ;
顾燕滨 .
中国专利 :CN114986384A ,2022-09-02
[10]
一种化学机械抛光用二氧化硅及其制备方法和应用 [P]. 
秦冬霞 ;
司徒粤 ;
黄丹 ;
程翔 ;
梁少彬 .
中国专利 :CN114560468B ,2022-05-31