化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的多步方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510138148.2

申请日：

2005-12-27

公开(公告)号：

CN1822325A

公开(公告)日：

2006-08-23

发明(设计)人：

S·J·莱恩 A·S·拉文 B·L·米勒 C·于

申请人：

申请人地址：

美国特拉华州

IPC主分类号：

H01L213105

IPC分类号：

C09K314

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

张宜红

法律状态：

专利权的视为放弃

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-06	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃
2006-10-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-08-23	公开	公开

共 50 条

[1]

用于对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物 [P].

S·J·兰 ;

C·余 .

中国专利 :CN101054498A ,2007-10-17

[2]

化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组合物和方法 [P].

S·J·莱恩 ;

B·L·穆勒 ;

C·于 .

中国专利 :CN100350567C ,2006-02-01

[3]

化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物与方法 [P].

S·J·莱恩 ;

B·L·米勒 ;

C·余 .

中国专利 :CN1660923A ,2005-08-31

[4]

用于化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物和方法 [P].

B·L·米勒 ;

徐浩峰 .

中国专利 :CN1637100A ,2005-07-13

[5]

抛光二氧化硅多于氮化硅的化学机械抛光组合物和方法 [P].

N·K·彭塔 ;

R·L·奥格 .

中国专利 :CN110964440A ,2020-04-07

[6]

化学机械抛光组合物以及优先于二氧化硅抛光氮化硅并同时抑制对二氧化硅的损伤的方法 [P].

N·K·彭塔 ;

K·E·特泰 ;

M·范汉尼赫姆 .

中国专利 :CN111944428A ,2020-11-17

[7]

具有改进的终点检测能力、用来对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物 [P].

B·L·穆勒 .

中国专利 :CN101085902A ,2007-12-12

[8]

用来化学机械抛光层间介电层的组合物和方法 [P].

S·J·莱恩 ;

C·余 .

中国专利 :CN101012357A ,2007-08-08

[9]

用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法 [P].

D.丹加 ;

K.莫根博格 ;

W.沃德 ;

D.马特加 .

中国专利 :CN105393337A ,2016-03-09

[10]

用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法 [P].

D.丹加 ;

K.莫根博格 ;

W.沃德 ;

D.马特加 .

中国专利 :CN110238705A ,2019-09-17

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