化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物与方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510052407.X

申请日：

2005-02-25

公开(公告)号：

CN1660923A

公开(公告)日：

2005-08-31

发明(设计)人：

S·J·莱恩 B·L·米勒 C·余

申请人：

申请人地址：

美国特拉华

IPC主分类号：

C08J514

IPC分类号：

H01L21304

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

陈季壮

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-08-31	公开	公开
2007-09-26	授权	授权
2009-04-29	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2005-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

用于化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物和方法 [P].

B·L·米勒 ;

徐浩峰 .

中国专利 :CN1637100A ,2005-07-13

[2]

化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组合物和方法 [P].

S·J·莱恩 ;

B·L·穆勒 ;

C·于 .

中国专利 :CN100350567C ,2006-02-01

[3]

化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的多步方法 [P].

S·J·莱恩 ;

A·S·拉文 ;

B·L·米勒 ;

C·于 .

中国专利 :CN1822325A ,2006-08-23

[4]

用于对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物 [P].

S·J·兰 ;

C·余 .

中国专利 :CN101054498A ,2007-10-17

[5]

用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法 [P].

D.丹加 ;

K.莫根博格 ;

W.沃德 ;

D.马特加 .

中国专利 :CN105393337A ,2016-03-09

[6]

用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法 [P].

D.丹加 ;

K.莫根博格 ;

W.沃德 ;

D.马特加 .

中国专利 :CN110238705A ,2019-09-17

[7]

用来化学机械抛光层间介电层的组合物和方法 [P].

S·J·莱恩 ;

C·余 .

中国专利 :CN101012357A ,2007-08-08

[8]

抛光二氧化硅多于氮化硅的化学机械抛光组合物和方法 [P].

N·K·彭塔 ;

R·L·奥格 .

中国专利 :CN110964440A ,2020-04-07

[9]

具有改进的终点检测能力、用来对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物 [P].

B·L·穆勒 .

中国专利 :CN101085902A ,2007-12-12

[10]

用来化学机械抛光薄膜和介电材料的组合物和方法 [P].

B·L·米勒 .

中国专利 :CN1837322A ,2006-09-27

← 1 2 3 4 5 →