一种化学机械抛光用二氧化硅及其制备方法和应用

被引：0

申请号：

CN202210175071.X

申请日：

2022-02-25

公开(公告)号：

CN114560468B

公开(公告)日：

2022-05-31

发明(设计)人：

秦冬霞司徒粤黄丹程翔梁少彬

申请人：

申请人地址：

526238 广东省肇庆市高新区迎宾大道23号

IPC主分类号：

C01B3318

IPC分类号：

C09G102 C09K314 B82Y4000

代理机构：

广州科沃园专利代理有限公司 44416

代理人：

张帅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/18 申请日:20220225
2022-05-31	公开	公开
2022-09-16	授权	授权

共 50 条

[1]

化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的组合物和方法 [P].

S·J·莱恩 ;

B·L·穆勒 ;

C·于 .

中国专利 :CN100350567C ,2006-02-01

[2]

化学机械抛光二氧化硅和氮化硅的多步方法 [P].

S·J·莱恩 ;

A·S·拉文 ;

B·L·米勒 ;

C·于 .

中国专利 :CN1822325A ,2006-08-23

[3]

抛光二氧化硅多于氮化硅的化学机械抛光组合物和方法 [P].

N·K·彭塔 ;

R·L·奥格 .

中国专利 :CN110964440A ,2020-04-07

[4]

一种化学机械抛光用硅溶胶及其制备方法与应用 [P].

康文兵 ;

孔慧停 ;

陈欢 ;

王海花 ;

闫正 .

中国专利 :CN115924922B ,2024-11-19

[5]

二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法 [P].

刘玉岭 ;

檀柏梅 ;

刘海晓 .

中国专利 :CN102010663A ,2011-04-13

[6]

一种微米颗粒介孔二氧化硅及其制备与应用 [P].

邵丽华 ;

李学全 .

中国专利 :CN109529797B ,2019-03-29

[7]

用于对二氧化硅和氮化硅进行化学机械抛光的组合物 [P].

S·J·兰 ;

C·余 .

中国专利 :CN101054498A ,2007-10-17

[8]

化学机械抛光用双分散硅溶胶及其制备方法和应用 [P].

高念 ;

李小龙 ;

周航 ;

欧阳广成 ;

刘子龙 ;

肖桂林 .

中国专利 :CN119797377A ,2025-04-11

[9]

化学机械抛光组合物以及优先于二氧化硅抛光氮化硅并同时抑制对二氧化硅的损伤的方法 [P].

N·K·彭塔 ;

K·E·特泰 ;

M·范汉尼赫姆 .

中国专利 :CN111944428A ,2020-11-17

[10]

一种二氧化硅纳米颗粒及其制备方法和应用 [P].

王丽 ;

梁少彬 ;

吕飞 ;

黄丹 .

中国专利 :CN115557509A ,2023-01-03

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