半导体检测装置、半导体检测系统及检测衬底温度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210229884.9

申请日：

2012-07-04

公开(公告)号：

CN103531495B

公开(公告)日：

2014-01-22

发明(设计)人：

马悦宋涛黄占超何川袁刚侯俊立奚明

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江居里路1号

IPC主分类号：

H01L2166

IPC分类号：

代理机构：

北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319

代理人：

黄海霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101573735151 IPC(主分类):H01L 21/66 专利申请号:2012102298849 申请日:20120704
2016-06-22	授权	授权
2017-07-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101755067260 IPC(主分类):H01L 21/66 专利号:ZL2012102298849 登记生效日:20170622 变更事项:专利权人变更前权利人:理想能源设备(上海)有限公司变更后权利人:理想晶延半导体设备(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江居里路1号变更后权利人:201614 上海市松江区思贤路3255号3幢402室
2014-01-22	公开	公开
2020-09-01	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/66 变更事项:专利权人变更前:理想晶延半导体设备（上海）有限公司变更后:理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司变更事项:地址变更前:201614 上海市松江区思贤路3255号3幢402室变更后:201602 上海市松江区思贤路3255号3幢402室

共 50 条

[1]

半导体检测装置 [P].

李海鹏 ;

张宇啸 ;

任文墨 .

中国专利 :CN211455649U ,2020-09-08

[2]

半导体检测装置 [P].

青木秀宪 ;

土佐信夫 ;

市川美穗 ;

广田浩义 .

中国专利 :CN102713651A ,2012-10-03

[3]

半导体检测方法、半导体检测系统及可读存储介质 [P].

陈鲁 ;

马砚忠 ;

赵燕 ;

陈驰 ;

张嵩 .

中国专利 :CN112748286A ,2021-05-04

[4]

半导体检测方法、半导体检测系统及可读存储介质 [P].

陈鲁 ;

马砚忠 ;

赵燕 ;

陈驰 ;

张嵩 .

中国专利 :CN112748286B ,2024-07-02

[5]

半导体检测装置 [P].

余宏 .

中国专利 :CN206892268U ,2018-01-16

[6]

半导体检测装置 [P].

肖良红 .

中国专利 :CN111346831A ,2020-06-30

[7]

半导体检测装置 [P].

岸本清治 .

中国专利 :CN1393921A ,2003-01-29

[8]

半导体检测装置及检测方法 [P].

李海鹏 .

中国专利 :CN111326433A ,2020-06-23

[9]

半导体检测装置及检测方法 [P].

李海鹏 .

中国专利 :CN111326433B ,2024-01-19

[10]

半导体检测装置及检测方法 [P].

李海鹏 .

中国专利 :CN112229857A ,2021-01-15

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