半导体制程方法与半导体结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310143436.1
申请日
2013-04-23
公开(公告)号
CN103456682A
公开(公告)日
2013-12-18
发明(设计)人
丹尼斯·J·培迪 泰伦斯·B·丹尼尔
申请人
申请人地址
中国台湾桃园县
IPC主分类号
H01L21768
IPC分类号
H01L23532
代理机构
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223
代理人
江耀纯
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
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半导体制程方法 [P]. 
黎俊霄 ;
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半导体制程机台及其半导体制程 [P]. 
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郑煌玉 ;
王陈右 ;
陈世敏 ;
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半导体制程 [P]. 
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黄晓琪 ;
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