一种大腐蚀纹单晶硅碱腐蚀片加工工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110420557.7

申请日：

2011-12-15

公开(公告)号：

CN102418150A

公开(公告)日：

2012-04-18

发明(设计)人：

张俊生李满刘沛然黄建国

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区华苑技术产业园区（环外）海泰发展一路8号

IPC主分类号：

C30B3310

IPC分类号：

C30B2906 C23F140

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

王凤英

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-29	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101706795491 IPC(主分类):C30B 33/10 专利申请号:2011104205577 申请公布日:20120418
2012-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101256120225 IPC(主分类):C30B 33/10 专利申请号:2011104205577 申请日:20111215
2012-04-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种单晶硅样品腐蚀系统及其腐蚀工艺 [P].

王新昌 ;

崔彩霞 ;

贾倩琳 .

中国专利 :CN120210963A ,2025-06-27

[2]

一种单晶硅样品腐蚀系统及其腐蚀工艺 [P].

王新昌 ;

崔彩霞 ;

贾倩琳 .

中国专利 :CN120210963B ,2025-08-29

[3]

一种通过碱腐蚀改善硅片腐蚀表面外观的加工工艺 [P].

张俊生 ;

刘沛然 ;

齐钊 ;

刘博 ;

李晓东 .

中国专利 :CN103021832A ,2013-04-03

[4]

重掺单晶硅片先酸腐蚀后碱腐蚀的腐蚀工艺 [P].

罗翀 ;

李翔 ;

吕莹 ;

刘琦 ;

王丹 .

中国专利 :CN102021657A ,2011-04-20

[5]

重掺单晶硅片先碱腐蚀后酸腐蚀的腐蚀工艺 [P].

张俊生 ;

罗翀 ;

张晋英 ;

刘沛然 ;

王国瑞 .

中国专利 :CN102021658A ,2011-04-20

[6]

一种制备单晶硅绒面的碱腐蚀溶液及方法 [P].

蒋冬 ;

方为仁 .

中国专利 :CN101423942A ,2009-05-06

[7]

一种单晶硅的腐蚀溶液 [P].

朱眉清 .

中国专利 :CN109880625A ,2019-06-14

[8]

一种单晶硅样品腐蚀装置 [P].

王新昌 ;

崔彩霞 ;

贾倩琳 .

中国专利 :CN120060980A ,2025-05-30

[9]

一种单晶硅样品腐蚀装置 [P].

王新昌 ;

崔彩霞 ;

贾倩琳 .

中国专利 :CN120060980B ,2025-08-29

[10]

一种硅抛光片碱腐蚀工艺 [P].

史延爽 ;

王帅 ;

谢琼震 ;

郭会波 ;

白玉麟 ;

孙晨光 ;

王彦君 .

中国专利 :CN112951710A ,2021-06-11

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