半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680059777.2

申请日：

2016-10-13

公开(公告)号：

CN108140675A

公开(公告)日：

2018-06-08

发明(设计)人：

伊东一笃

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

G09F930 H01L2128 H01L21336 H01L218234 H01L2708 H01L27088 H01L2732 H01L29423 H01L2949

代理机构：

北京市隆安律师事务所 11323

代理人：

权鲜枝;刘宁军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-08	公开	公开
2020-12-25	授权	授权
2018-07-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20161013

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN105097946A ,2015-11-25

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN105514124A ,2016-04-20

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木正彦 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

北川英树 ;

菊池哲郞 ;

川岛慎吾 ;

大东彻 .

中国专利 :CN107004718B ,2017-08-01

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

坂田淳一郎 ;

丸山哲纪 ;

井本裕己 ;

浅野裕治 ;

肥塚纯一 .

中国专利 :CN101740632A ,2010-06-16

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN107221562B ,2017-09-29

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

郷户宏充 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101826559B ,2010-09-08

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

坂田淳一郎 ;

岛津贵志 ;

大原宏树 ;

佐佐木俊成 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101794820A ,2010-08-04

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木正彦 ;

川岛慎吾 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

北川英树 ;

菊池哲郞 ;

大东彻 .

中国专利 :CN107004720A ,2017-08-01

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

北川英树 ;

大东彻 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

菊池哲郞 ;

川岛慎吾 ;

铃木正彦 .

中国专利 :CN107004719A ,2017-08-01

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

佐佐木俊成 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN105140132B ,2015-12-09

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