半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910220860.5

申请日：

2009-11-06

公开(公告)号：

CN101740632A

公开(公告)日：

2010-06-16

发明(设计)人：

山崎舜平坂田淳一郎丸山哲纪井本裕己浅野裕治肥塚纯一

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2924 H01L2134 H01L2702

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

李玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-16	公开	公开
2014-08-20	授权	授权
2011-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101159909826 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2009102208605 申请日:20091106

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 ;

津吹将志 ;

佐佐木俊成 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN105097946A ,2015-11-25

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN105514124A ,2016-04-20

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木正彦 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

北川英树 ;

菊池哲郞 ;

川岛慎吾 ;

大东彻 .

中国专利 :CN107004718B ,2017-08-01

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

秋元健吾 .

中国专利 :CN107221562B ,2017-09-29

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

郷户宏充 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101826559B ,2010-09-08

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

坂田淳一郎 ;

岛津贵志 ;

大原宏树 ;

佐佐木俊成 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN101794820A ,2010-08-04

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木正彦 ;

川岛慎吾 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

北川英树 ;

菊池哲郞 ;

大东彻 .

中国专利 :CN107004720A ,2017-08-01

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

北川英树 ;

大东彻 ;

今井元 ;

越智久雄 ;

藤田哲生 ;

菊池哲郞 ;

川岛慎吾 ;

铃木正彦 .

中国专利 :CN107004719A ,2017-08-01

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

秋元健吾 ;

佐佐木俊成 ;

桑原秀明 .

中国专利 :CN105140132B ,2015-12-09

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

近间义雅 ;

锦博彦 ;

太田纯史 ;

水野裕二 ;

原猛 ;

会田哲也 ;

铃木正彦 ;

竹井美智子 ;

中川兴史 ;

春本祥征 .

中国专利 :CN102652330B ,2012-08-29

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