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一种用于碳化硅晶体生长炉的石英腔体结构
被引:0
申请号
:
CN202122933432.6
申请日
:
2021-11-26
公开(公告)号
:
CN216274469U
公开(公告)日
:
2022-04-12
发明(设计)人
:
刘英斌
赵丽霞
魏汝省
周立平
李大恭
张继光
李胜华
徐雅坤
张馨丹
申请人
:
申请人地址
:
030006 山西省太原市综改示范区太原唐槐园区唐槐路5号
IPC主分类号
:
C30B2936
IPC分类号
:
C30B3500
代理机构
:
太原高欣科创专利代理事务所(普通合伙) 14109
代理人
:
吴立;冷锦超
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-04-12
授权
授权
共 50 条
[1]
碳化硅晶体生长炉
[P].
胡家乐
论文数:
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0
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机构:
江苏集芯先进材料有限公司
江苏集芯先进材料有限公司
胡家乐
.
中国专利
:CN221626443U
,2024-08-30
[2]
碳化硅晶体生长炉
[P].
高冰
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高冰
.
中国专利
:CN115094513A
,2022-09-23
[3]
碳化硅晶体生长炉
[P].
黄鸣
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黄鸣
;
丁文革
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丁文革
;
谭三成
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谭三成
;
曹永新
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曹永新
.
中国专利
:CN102877133B
,2013-01-16
[4]
碳化硅晶体生长炉
[P].
刘鹏
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刘鹏
;
徐文立
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徐文立
;
胡建宇
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胡建宇
;
余圣杰
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余圣杰
.
中国专利
:CN307653137S
,2022-11-11
[5]
一种碳化硅晶体生长炉
[P].
李晓峰
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机构:
辽宁鸣舜科技有限公司
辽宁鸣舜科技有限公司
李晓峰
.
中国专利
:CN223255528U
,2025-08-22
[6]
一种碳化硅晶体生长炉炉壁结构
[P].
姚恒
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芜湖予秦半导体科技有限公司
芜湖予秦半导体科技有限公司
姚恒
;
姚泰
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机构:
芜湖予秦半导体科技有限公司
芜湖予秦半导体科技有限公司
姚泰
.
中国专利
:CN221940687U
,2024-11-01
[7]
一种碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长方法
[P].
范涛礼
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机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
范涛礼
;
陈建明
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机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
陈建明
;
蔡金荣
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机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
蔡金荣
;
张江涛
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机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
张江涛
;
赵文超
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机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
赵文超
.
中国专利
:CN118272918B
,2024-10-11
[8]
一种碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长方法
[P].
范涛礼
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机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
范涛礼
;
陈建明
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机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
陈建明
;
蔡金荣
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机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
蔡金荣
;
张江涛
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机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
张江涛
;
赵文超
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机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
赵文超
.
中国专利
:CN118272918A
,2024-07-02
[9]
一种碳化硅晶体生长检测装置、方法及碳化硅晶体生长炉
[P].
皮孝东
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皮孝东
;
沈典宇
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沈典宇
;
王蓉
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王蓉
;
王芸霞
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王芸霞
;
杨德仁
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杨德仁
.
中国专利
:CN114371223B
,2022-04-19
[10]
晶体生长炉及具有其的碳化硅晶体生长装置
[P].
姚恒
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姚恒
;
卞洪阳
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卞洪阳
;
姚泰
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姚泰
.
中国专利
:CN214830790U
,2021-11-23
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