半导体芯片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811532311.7

申请日：

2018-12-14

公开(公告)号：

CN109638133A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

黄瑄李俊贤刘英策魏振东邬新根周弘毅

申请人：

申请人地址：

361101 福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3362 H01L3300

代理机构：

宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244

代理人：

李高峰;孟湘明

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-16	公开	公开
2019-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/38 申请日:20181214

共 50 条

[1]

半导体芯片及其制造方法 [P].

黄瑄 ;

李俊贤 ;

刘英策 ;

魏振东 ;

邬新根 ;

周弘毅 .

中国专利 :CN109742209A ,2019-05-10

[2]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

邬新根 ;

刘英策 ;

李俊贤 ;

魏振东 .

中国专利 :CN109037407A ,2018-12-18

[3]

半导体发光芯片及其制造方法 [P].

邬新根 ;

刘英策 ;

李俊贤 ;

魏振东 .

中国专利 :CN109037407B ,2024-04-23

[4]

半导体芯片及其制造方法、半导体装置及其制造方法 [P].

谷田一真 ;

根本义彦 ;

高桥健司 .

中国专利 :CN1738027A ,2006-02-22

[5]

半导体芯片 [P].

黄瑄 ;

李俊贤 ;

刘英策 ;

魏振东 ;

邬新根 ;

周弘毅 .

中国专利 :CN209709012U ,2019-11-29

[6]

半导体芯片 [P].

黄瑄 ;

李俊贤 ;

刘英策 ;

魏振东 ;

邬新根 ;

周弘毅 .

中国专利 :CN209471992U ,2019-10-08

[7]

半导体芯片及其制造方法 [P].

长屋正武 ;

原一都 ;

河口大祐 ;

油井俊树 ;

笹冈千秋 ;

小岛淳 ;

恩田正一 .

中国专利 :CN113539928A ,2021-10-22

[8]

半导体芯片及其制造方法 [P].

小泉直幸 .

中国专利 :CN100355030C ,2004-04-14

[9]

半导体芯片及其制造方法 [P].

饶哲源 ;

张圣明 ;

李锦智 .

中国专利 :CN101477971A ,2009-07-08

[10]

半导体芯片及其制造方法 [P].

林将志 ;

内田正雄 ;

高桥邦方 .

中国专利 :CN102473599A ,2012-05-23

← 1 2 3 4 5 →