氮化半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00803557.1

申请日：

2000-02-08

公开(公告)号：

CN1157804C

公开(公告)日：

2002-03-13

发明(设计)人：

长滨慎一中村修二

申请人：

申请人地址：

日本德岛县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L21205 H01S5323

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

刘晓峰

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20000208 授权公告日:20040714 终止日期:20190208
2002-03-13	公开	公开
2002-04-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-07-14	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

朱廷刚 ;

布赖恩·S.·谢尔顿 ;

马莱克·K.·帕比兹 ;

马克·戈特弗里德 ;

刘琳蔺 ;

米兰·波弗里斯迪克 ;

迈克尔·墨菲 ;

理查德·A.·斯托尔 .

中国专利 :CN102751335A ,2012-10-24

[2]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

笹冈千秋 ;

小岛淳 ;

恩田正一 ;

长屋正武 ;

原一都 ;

河口大祐 .

日本专利 :CN113539808B ,2024-08-27

[3]

氮化镓半导体器件及其制造方法 [P].

笹冈千秋 ;

小岛淳 ;

恩田正一 ;

长屋正武 ;

原一都 ;

河口大祐 .

中国专利 :CN113539808A ,2021-10-22

[4]

氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 [P].

后藤修 ;

浅野竹春 ;

竹谷元伸 ;

簗嵨克典 ;

池田真朗 ;

涉谷胜义 ;

铃木康彦 .

中国专利 :CN1574228A ,2005-02-02

[5]

氮化物半导体，半导体器件及其制造方法 [P].

后藤修 ;

浅野竹春 ;

竹谷元伸 ;

簗克典 ;

池田真朗 ;

涉谷胜义 ;

铃木康彦 .

中国专利 :CN1296970C ,2003-09-24

[6]

半导体器件、氮化物半导体晶体及其制造方法 [P].

中村哲一 ;

山田敦史 ;

石黑哲郎 ;

宫岛丰生 ;

今西健治 .

中国专利 :CN103367421A ,2013-10-23

[7]

氮化物半导体衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

山口小百合 ;

松本直树 ;

三上英则 .

中国专利 :CN102034853A ,2011-04-27

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101093832A ,2007-12-26

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

乔治斯·威廉提斯 ;

马丁·克里斯多夫·霍兰德 .

中国专利 :CN106158587A ,2016-11-23

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

冯远皓 ;

薛广杰 ;

李乐 .

中国专利 :CN116314032B ,2025-02-25

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