碳化硅半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201180010116.8
申请日
2011-07-14
公开(公告)号
CN102770949A
公开(公告)日
2012-11-07
发明(设计)人
藤川一洋
申请人
申请人地址
日本大阪府大阪市
IPC主分类号
H01L21337
IPC分类号
H01L21205 H01L29808
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人
李兰;孙志湧
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件 [P]. 
陈昭铭 ;
张安平 ;
刘鸣然 ;
殷鸿杰 ;
罗惠馨 ;
袁朝城 .
中国专利 :CN113410284A ,2021-09-17
[2]
碳化硅半导体器件 [P]. 
和田圭司 ;
斋藤雄 ;
增田健良 .
中国专利 :CN105074930A ,2015-11-18
[3]
碳化硅半导体器件 [P]. 
山田俊介 ;
日吉透 ;
增田健良 ;
和田圭司 .
中国专利 :CN104662664B ,2015-05-27
[4]
碳化硅半导体器件 [P]. 
日吉透 ;
增田健良 ;
和田圭司 ;
筑野孝 .
中国专利 :CN104756256A ,2015-07-01
[5]
碳化硅半导体器件 [P]. 
增田健良 ;
斋藤雄 ;
林秀树 ;
日吉透 ;
和田圭司 .
中国专利 :CN104541376A ,2015-04-22
[6]
碳化硅半导体器件 [P]. 
原田真 ;
玉祖秀人 ;
畑山智亮 .
中国专利 :CN102171827A ,2011-08-31
[7]
碳化硅半导体器件 [P]. 
和田圭司 ;
增田健良 ;
日吉透 .
中国专利 :CN103765594B ,2014-04-30
[8]
碳化硅半导体器件 [P]. 
内田光亮 ;
日吉透 .
中国专利 :CN105304702B ,2016-02-03
[9]
碳化硅半导体器件 [P]. 
潘仁杰 ;
田柏冠 ;
郑轩志 .
中国专利 :CN222954307U ,2025-06-06
[10]
碳化硅半导体器件 [P]. 
和田圭司 ;
增田健良 ;
日吉透 .
中国专利 :CN104871316A ,2015-08-26