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低电压存储器的存储器内建自测试纠错码（MBIST ECC）
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010143454.X
申请日：
2020-03-04
公开(公告)号：
CN111798912A
公开(公告)日：
2020-10-20
发明(设计)人：
D·I·哈纳甘迪
I·阿尔索夫斯基
M·A·齐格霍弗尔
V·H·奇卡诺斯凯
K·R·罗德哈
申请人：
申请人地址：
开曼群岛大开曼岛
IPC主分类号：
G11C2942
IPC分类号：
G11C2912
G06F1110
代理机构：
北京市中咨律师事务所 11247
代理人：
贺月娇;杨晓光
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-10-20 | 公开 | 公开 |
| 2020-11-06 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/42 申请日:20200304 |