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内建自测试电路及存储器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311250862.5
申请日
:
2023-09-25
公开(公告)号
:
CN119694372A
公开(公告)日
:
2025-03-25
发明(设计)人
:
陆天辰
申请人
:
长鑫科技集团股份有限公司
申请人地址
:
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号
:
G11C29/12
IPC分类号
:
G11C29/44
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
公开
国省代码
:
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-03-25
公开
公开
2025-04-11
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G11C 29/12申请日:20230925
2025-10-21
授权
授权
共 50 条
[1]
内建自测试电路及存储器
[P].
陆天辰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
陆天辰
.
中国专利
:CN119694372B
,2025-10-21
[2]
存储器内建自测试电路
[P].
李鸣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李鸣
.
中国专利
:CN102903393B
,2013-01-30
[3]
一种内建自测试电路、内建自测试方法和存储器
[P].
孙圆圆
论文数:
0
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0
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0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
孙圆圆
;
王佳
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
王佳
;
张瑞
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
张瑞
.
中国专利
:CN119296623A
,2025-01-10
[4]
存储器的内建自测试系统
[P].
王建群
论文数:
0
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0
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0
机构:
北京时代全芯存储技术股份有限公司
北京时代全芯存储技术股份有限公司
王建群
;
徐成宇
论文数:
0
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0
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0
机构:
北京时代全芯存储技术股份有限公司
北京时代全芯存储技术股份有限公司
徐成宇
.
中国专利
:CN120164513A
,2025-06-17
[5]
存储器内建自测试方法
[P].
杨修
论文数:
0
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0
杨修
;
唐杜娟
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0
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0
唐杜娟
.
中国专利
:CN101339811A
,2009-01-07
[6]
存储器芯片内建自测试电路装置
[P].
杨正杰
论文数:
0
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0
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0
杨正杰
.
中国专利
:CN208655247U
,2019-03-26
[7]
一种内建自测试电路及存储器
[P].
陈巍巍
论文数:
0
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0
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0
陈巍巍
;
陈岚
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陈岚
;
尤云霞
论文数:
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0
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尤云霞
;
秦毅
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0
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0
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0
秦毅
.
中国专利
:CN111354412B
,2020-06-30
[8]
内建自测试电路
[P].
李鸣
论文数:
0
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0
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0
李鸣
.
中国专利
:CN104751896A
,2015-07-01
[9]
存储器接口电路与内建自测试方法
[P].
李铉宰
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0
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机构:
美商矽成积体电路股份有限公司
美商矽成积体电路股份有限公司
李铉宰
;
方政镐
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机构:
美商矽成积体电路股份有限公司
美商矽成积体电路股份有限公司
方政镐
;
李月镇
论文数:
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0
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机构:
美商矽成积体电路股份有限公司
美商矽成积体电路股份有限公司
李月镇
;
柳基炯
论文数:
0
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机构:
美商矽成积体电路股份有限公司
美商矽成积体电路股份有限公司
柳基炯
;
赵光来
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0
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机构:
美商矽成积体电路股份有限公司
美商矽成积体电路股份有限公司
赵光来
;
尹舜炳
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机构:
美商矽成积体电路股份有限公司
美商矽成积体电路股份有限公司
尹舜炳
.
美国专利
:CN118506839A
,2024-08-16
[10]
存储器的内建自测试系统
[P].
彭涛
论文数:
0
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0
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0
彭涛
.
中国专利
:CN111292795B
,2020-06-16
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